(2003-04-04)
美商超微半導體 的研發人員成功開發一種新一代的電晶體，其效能比目前公認的高效能 P 通道金屬氧化半導體 (PMOS) 高 30%，AMD 計劃在今年 6 月全面公佈這項研究的實驗結果。這種電晶體採用 AMD 專有的技術，其中包括一般稱為完全空乏區的絕緣層上矽晶(Fully Depleted Silicon-on-Insulator)。

在另一相關的研究中，AMD 的研發人員利用金屬閘門成功開發一種受壓 (strained) 矽片電晶體，其效能比傳統的受壓矽片電晶體高 20 至 25%，為業界創下新的電晶體效能標準。

AMD 一直積極研發先進的製程技術，部分研究成果更已成為該公司整個製程技術開發過程中的重要里程碑。由於 AMD 可以充分利用這些新技術設計新一代的微處理器，因此能夠滿足客戶最嚴格的要求。

預計在未來 5 至 10 年內，這方面的最新研發成果將會在整個半導體生產流程之中扮演一個極為重要的角色。AMD 將出席今年 6 月 11 日至 12 日在日本京都舉行的大型積體電路研討會 (VLSI Symosium)，並計劃在會中首次公開發表這兩項研究的結果。如欲查詢進一步的資料，可瀏覽 VLSI 研討會的網頁，網址為 http://www.vlsisymposium.org。