[分享]AMD創新電晶體技術
 

(2003-04-04)
美商超微半導體 的研發人員成功開發一種新一代的電晶體，其效能比目前公認的高效能 P 通道金屬氧化半導體 (PMOS) 高 30%，AMD 計劃在今年 6 月全面公佈這項研究的實驗結果。這種電晶體採用 AMD 專有的技術，其中包括一般稱為完全空乏區的絕緣層上矽晶(Fully Depleted Silicon-on-Insulator)。

在另一相關的研究中，AMD 的研發人員利用金屬閘門成功開發一種受壓 (strained) 矽片電晶體，其效能比傳統的受壓矽片電晶體高 20 至 25%，為業界創下新的電晶體效能標準。

AMD 一直積極研發先進的製程技術，部分研究成果更已成為該公司整個製程技術開發過程中的重要里程碑。由於 AMD 可以充分利用這些新技術設計新一代的微處理器，因此能夠滿足客戶最嚴格的要求。

預計在未來 5 至 10 年內，這方面的最新研發成果將會在整個半導體生產流程之中扮演一個極為重要的角色。AMD 將出席今年 6 月 11 日至 12 日在日本京都舉行的大型積體電路研討會 (VLSI Symosium)，並計劃在會中首次公開發表這兩項研究的結果。如欲查詢進一步的資料，可瀏覽 VLSI 研討會的網頁，網址為 http://www.vlsisymposium.org。

感謝分享:like:

問一下，這樣的新技術，要商業化，需要多少時間才到的到？！

不知這和絕緣層矽晶片技術(SOI)是否為同一個東西....?

http://www.pidc.gov.tw/Publication/...r/no29/p13.html

是的..那就是SOI不過SOI有分兩種形式.一種是PD SOI一種是FD SOI也就是以空乏區厚度來區分,此技術是由IBM研發成功的,只要是用來加速電晶體的速度與更省電
我本身是做這個研究的~~~略知一二

能否詳加說明一下.....弟聽不太懂....(PD和FD的差別)

深次微米閘極技術之發展與未來趨勢


張力矽晶


參考一下~

謝謝大大分享

回覆: [分享]AMD創新電晶體技術
 

AMD 早就打算在 K8 上使用 SOI Wafer 了, 其實技術上應該不是問
題, 重點是 SOI Wafer 成本高出 Si Wafer 太多了, 東西做出來怎麼賣?
說穿了, 技術差 intel 太多了, 只好把腦筋動到 SOI Wafer 上...

這種 Strained-Si 的技術應該是 IBM 先做的, 原理是藉由 Ge 與 Si lattice 約
4% 的差異所造成的應力而增加載子(也就是電子與電洞)的 mobility, 進而改善
MOSFET 的速度.
我的論文題目碰巧就是 SOI + Strained-Si (又稱 SGOI)..^_^
雖然這兩項技術能大幅改善 MOSFET 的效能, 不過我認為成本
將是一大考量, 特別是 AMD 產品的 USER 大部分都是價格導向,
一旦東西上市, 又有多少人買的下手?

科技新知:like: