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文章: 290
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在０.２５微米時代，AMD對英特爾就處於追趕狀態，在轉移到０.１８製程時,AMD落伍的程度也還好。於是AMD和摩托羅拉建立了合作關係。摩托羅拉擁有Apple電腦PowerPC的晶片HiPerMOS７(HiP７)。就是摩托羅拉生産的。AMD交換專利,獲得授權後,其中一部分比Intel的０.１３微米生産技術更好。
首先，AMD獲取的交換技術對設備要求較低，僅僅要求２４８奈米設備，這樣可以降低生産成本,這也是當時AMD處理器價格低廉的原因之一。它也使得AMD可以很快步入量產化規模。不過類似英特爾一樣，AMD仍在其産品關鍵的地方使用了１９３奈米蝕刻。其次，HiP７技術的生產要求並不像英特爾的１３０奈米製程那樣高：電晶體的通道長度僅僅需要８０奈米,而不是英特爾的７０奈米，SIO２層的厚度僅僅是１.８/２.５奈米,而英特爾則需要達到１.５/２.４奈米。 還有,HiP７可以達到９層銅製程互連的水準。最後，HiP７使得AMD在處理隔離電晶體之間互連的絕緣問題上具有兩個選擇：或是K值爲３.７的氟化玻璃，或是使用K值小於３的低K值原料，即黑鑽石技術,而Intel使用的是K值爲３.６的SiOF。這一技術的影響很類似於處理器從鋁變爲銅的改變，這樣可以讓AMD使用低K值介電體來生産，而Intel要在９０奈米製程上才會放棄SiOF。 現在，AMD正在準備下一代生産技術—HiP８，這一技術將對抗的是Intel ９０奈米的P１２６２。目前，AMD已經成功做出而獲得極大突破，Fab３０按照計劃將在２００４年底開始使用HiP８,也就是用在極端昂貴的處理器－－超級電腦/伺服器/工作站用途的。K９做出來之後,推到市場前要花時間累積時脈進度。超微又領先英特爾一步。這個優勢持續到達２００７年是很有可能的。這不是亂猜。這在以前是相反的。都是超微追趕英特爾。 而且AMD仍將在HiP８使用SOI技術。SOI,也就是Silicon on Insulator，絕緣層上覆矽,是廠商爲解決亞閾泄漏的問題所推出的解決方案，AMD在０.１３微米製程中就已經採用了此技術。 SOI：電晶體通過一個更厚的絕緣層從矽晶元中分離出來，電晶體“開/關”狀態的切換性能提高了，而且同時在速度不變的情況下，我們可以也可以降低閾值電壓或是同時提高性能和降低電壓。 如果閾值電壓保持不變，性能可以提高３０％，那麽如果我們將頻率保持不變而將注意力集中在節約電能，那麽我們也可以節省大約５０％的能量。這很適用在筆記型電腦與長時間開機的伺服器上面。這兩個都是超微較低市占率的領域。 此外，在電晶體本身處理各種錯誤時，通道的特性也變得容易預計了。但SOI技術也有不足之處，它必須減小電晶體漏極/源區域的深度，這將導致電晶體阻抗的升高，而且電晶體的成本也提高了１０％。 針對SOI所帶來阻抗升高的缺點，AMD解決方案是用高K值的金屬矽酸鹽絕緣材料取代目前的二氧化矽，這樣將使得泄漏電流下降１００倍，我們很快就會見到更快頻率的電晶體。新的電晶體將使得性能增加２０％，同時還將降低泄漏電流和門極寬度。超微會很有自信的把大量”所謂的工程版神龍６４”倒出來,也是因為技術已經大幅提昇所致。否則這些貨還要再標號重新賣的。 此外，AMD正在準備在未來處理器中使用SiGe技術,也屬於SOI技術,來取代純粹的矽,作爲驅動電流的通道，功效和Intel的彈性矽技術有些類似。使用此種技術這可以使粘結矽層,做得更薄更均勻，其矽層厚度可達１５奈米。 用這種方法分離晶圓片時，也可把它放到外延系統的反應室內,通入化學蒸氣,進行原子級刻蝕，也能把矽去掉。AMD此技術似乎比Intel的彈性矽技術更具有優勢。這優勢發展到２００７年也不是問題。 通過此技術，電晶體的矽晶格會根據下層元素的晶格調整自己，並將延展一些，潛在的阻抗將會比普通的矽下降７０％，而電晶體性能將提高３５％。 當然AMD也在考慮多門電晶體技術，不過AMD所推的是雙門電晶體技術，和Intel的三門電晶體不同，其沒有上方的控制電極。雙門電晶體的寬度大約為門極寬度的１/３，電晶體發送/接受電子束也要窄一些，但由於單個電晶體通道寬度大大減小,對蝕刻技術提出了更高要求。但雙門電晶體相對於傳統的電晶體都有很多的優勢，特別是它縮小了通道長度。 總的來說，在生産技術上，AMD未來有足夠的實力應對來自英特爾的壓力。至少到２００７年之前利用製程,並且依靠K７/K８/K９體系延續的性能主義體系,尤其是K８架構出來的共同強化設計,都可以在性能上稱王。至於２００７以後的事,則太遙遠了。 此文章於 2004-07-08 11:20 AM 被 妞妞 編輯. |
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2004-07-08, 11:15 AM
#21
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Master Member
  加入日期: Sep 2003
文章: 2,043
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引用:
引用文章請註明出處 不知道你從哪裡轉的...應該是目前找到的下面兩個之一... http://www.southcn.com/it/itzt/cpu/...00403040941.htm http://www.8080.net/html/200305/h27...490633&CODE=212 不過...肯定不是你打的東西...不要以為翻成繁體就沒人知道了... 目前找到比較早的原文是 http://www.xbitlabs.com/articles/cp...y/prescott.html 講的好像自己很強...理論都不懂... 哈啦啥... X800 pro能不能開管線早有先例...要猜...  就算今天拿給你開...你最好能開的出來（是硬改...）... 你用過K8、P4沒有... 半弔子要跟人討論什麼... GDDRIII跟DDRIII都分不清...跟N大師有的比了...  分析師用來分析的環境單純是硬體... 你到底分析師的依據是什麼... 還神龍神鵰勒... |
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2004-07-08, 11:44 AM
#22
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Master Member
加入日期: Sep 2003
文章: 2,043
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引用:
又是從那兩個大陸網站的文章... 你真以為會連文章就表示你懂... |
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2004-07-08, 11:49 AM
#23
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Major Member
加入日期: Apr 2004 您的住址: 高雄
文章: 290
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超微不只發展雙門電晶體技術,還有３門技術也獲得突破。
在2003年IEDM會議上，AMD表示SOI技術在目前處理器中得到了成功的應用，同時還透露了其下一代SOI技術的一些細節。AMD將啓用新的45nm電晶體製造技術，這一技術將爲邁向45nm制程提供有力的保障。 而根據最近的預測，電晶體的主要部件——負責控制電流通斷的門極必須以２０奈米等級的尺寸製作,才能夠滿足４５奈米制程的要求。目前，根據AMD公司的說法，AMD在其處理器中所使用的門極尺寸大約是５０奈米，但AMD沒有指明處理器的具體型號。 爲了突破２０奈米的門極尺寸壁壘，AMD的新電晶體設計將使用３門結構，該結構不僅有助於AMD將門極尺寸縮小到２０奈米，而且還可以增加門極開關頻率、減小漏電電流。此外，層間絕緣材料方面，AMD則將繼續應用Low-K材料。超微專利數量超過英特爾完全不是造假的。 AMD將用在其多門電晶體設計中的技術有： 完全耗盡型SOI技術：作爲其下一代SOI技術，該技術將對功耗、性能上有所提升；這也是針對省電的鐵沙掌問題。 金屬門技術：門極材料將使用鎳-矽化合物製作，而不是使用目前廣泛採用的多晶矽材料。新的材料可以增大電晶體允許通過的電流值，還可以減小漏電流。這也是針對省電的鐵沙掌問題。 Locally strained channel：該技術通過在電晶體內部電流通道的原子間嵌入特殊材料，來縮短電流通過電晶體電流通道的路徑，提高電流在電晶體內流動的順暢程度。這是解決電阻問題。也會影響省電降溫。 新的SOI技術將以目前在fab３０中大量使用的SOI技術為基礎進行。 同時AMD也宣稱在其使用１３０奈米制程的處理器裏，便已經應用了Low-K材料，在Low-K技術的應用中，可說是先行者，走在了intel的前面。 總之,超微的處理器性能將至少在２００７年之前一直領先英特爾。而且以後只要超微首先使用DDR３技術,那樣今後超微處理器的超級性能,將更容易被強大的記憶體威力灌滿,而呈現驚人威力。 反之英特爾架構使用DDR３的利益將不那樣明顯。在主記憶體遲延上,至少等於英特爾的記憶體性能,被北橋主記憶體控制器與匯流排性能拉後腿,給攔腰砍了一截,遲延相差約３成－４成甚至５成左右。也就是說超微用６５０－８００MHZ的主記憶體的好處,就相當於英特爾用１GHZ的主記憶體的利益。 因為這時英特爾新的雙核心技術,將沒有閃電匯流排與內建主記憶體控制器去減少主記憶體的遲延,這會導致主記憶體的性能加速無法完整的灌入處理器。 超微已經使用了高速匯流排與高時脈主記憶體控制器,就會持續對此２０階管線深度的內建體系加速。理論上一樣是１３０奈米製程,他在主記憶體控制器內部與匯流排時脈就可以拉到３.４GHZX２＝３.８GHZDDR的可怕威力。換言之目前的９３９架構才５００MHZ X ２＝１GHZ DDR的程度,還有巨大的開發潛力。光用這一點就可以輕易對抗英特爾的DDR２。 當然基於技術交換協定,英特爾現在就可以開始把超微技術納入門下,但英特爾在面子上掛不住。總是要動些手腳才好意思使用這些技術。就像AMD６４架構的X８６-６４一樣,英特爾非得改改名子再去用,才會過癮。每其名曰逆向工程。明明就是抄。我寫這段的時候還有人罵。小吉吉幫真是一大票。其實裡面還有AMD６４命名權的問題。我看英特爾膽子也沒有那樣大。這會一直拖出一個結局。 英特爾是沒有資格宣稱X８６-６４架構上面,他英特爾有任何命名權的。 但這要動手腳改良,就得拖延使用最新技術的時間。到達２００７是很合理的時間估計。至少我是有自己適當根據才估計的。 另外,超微會昂貴,也有寡頭壟斷的市場本質問題。只要兩家廠商以默契講好不打價格戰,那樣處理器市場自然還是寡頭統治。那超微自然會走向昂貴。換言之工程版神龍６４是這個鄰家女孩高貴起來之前的最後末班車。想上她的得動作快點。不然用了神鵬就算比英特爾的塞羊妹妹要好－－－那也是屬於小吉吉幫的人了。 |
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2004-07-08, 12:00 PM
#24
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Major Member
加入日期: Apr 2004 您的住址: 高雄
文章: 290
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看看我這段話。就在上面。"產業分析師都是看過一些資料之後用猜的。你看過哪一個dram分析師不是用猜的。寫出山那樣高的一大堆報告,還猜錯。"
這話的意思自然是說資料都是別人的。 找資料。本來就可以。我從沒有說我是硬體部門的人。我找資料大部分都有列上來源。這當然可以補列上。因為還沒有貼完。 ///X800 pro能不能開管線早有先例...要猜... 就算今天拿給你開...你最好能開的出來（是硬改...）... ＝＝＝我不需要自己改。我只要判斷能改即可。而且是在X８００P能改之前就說了。那是在顯示卡的帖區。 ///你用過K8、P4沒有...半弔子要跟人討論什麼... GDDRIII跟DDRIII都分不清...跟N大師有的比了... ＝＝＝DDR３會用的。GDDRIII跟DDRIII當然不一樣。GDDR3是用DDR２為基礎的。GDDR３比GDDR２要早出來。GDDR３大量用於繪圖卡,意味價格會降很快。但這和DDR２的價格不同。且這不影響未來超微使用DDR３。DDR３也會很快的運用。因為DDR２的性能並沒有非常明顯的強。 |
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2004-07-08, 12:11 PM
#25
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Master Member
加入日期: Jun 2004 您的住址: 小到不行的工作室.....
文章: 1,541
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引用:
不甚苟同......您說DDR2的效能不強.....這句話請等到INTEL把FSB1066的CPU和完全支援DDR2的晶片組量產之後再來說......對記憶體廠商來說，DDR3還很早，連DDR2都還未完全成熟，不會去做DDR3的，INTEL也不會呆呆的放任超微把自己的寶座搶走  在兩方產品都未完全成熟的情況下，妄下定論不太好.......
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測試：A8N SLI Deluxe+OCZ 3700EL 測試：DFI NF4-Ultra-D初試 有問題請先爬文，拒絕濫發問題洗版! 要組電腦前，麻煩請先進來看一下 離題幫永不滅  愛車改造中..... 
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2004-07-08, 12:40 PM
#26
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加入日期: Oct 2003 您的住址: 宇宙
文章: 111
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目前CPU進入0.13微米以後,電磁干擾和電子飄移,漏電流的現象只會更嚴重
因為已經接近目前銅矽的物理極限,光是只有SOI,Low-K還是解決不了問題! 目前慶幸0.09微米能夠順利進入量產,但是真正的難題是0.065,以目前發展 半導體每18個月倍增2倍效能,目前的熱功率密度已經快要無法解決,是頭號問題 因此Intel打算在晶圓內部導入物理熱導管,外接循環微水冷技術~~~ AMD因為時脈較低,高功耗發熱的瓶頸會晚一點遇到,不過終究還是半導體共同的難題 說時在這種東西沒有誰最好誰最弱,Intel有自己的技術和專利,AMD有自己的優勢 應該要撇開一些個人觀點來討論,目前討論DDR3也還太早了些! 例如DDR2雖然有時脈優勢,但是跟DDR比起來,延遲時間更長,造成效能抵銷~~~ P4E相比P4C也是類似局面,並不是最新的技術或最先採用就能當王! AMD在K8搶得X86-64位元先機是正確的,但是可惜沒有擅用優勢拉攏軟體和OS AMD向來在行銷和產品形象軟弱無能,CEO難辭其咎,沒有安迪葛洛夫一般的決策者 況且K8內建記憶體控制單元,這對於記憶體改朝換代更是一大隱憂~~~各有優缺 討論應該要持平,切勿陷入AMD或Intel瘋狂愛好者的迷思! 這是大陸網友們應該要多注意的!
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We Will Rock You!! 8cm風扇靜音與效能討論: http://www.pcdvd.com.tw/showthread.php?t=510604 |
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2004-07-08, 12:53 PM
#27
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加入日期: Apr 2004 您的住址: 高雄
文章: 290
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http://www.onda.cn/information/inc/...e.jsp?Id=523139
上面的前面的圖先說DDR３要到２００７年才會出來。但是到後面的圖就成了２００６年。時間是會有變化的。 更多的廠家會把錢直接投資在DDR３上面。我認為２００５年的超微就會開始作出DDR３控制技術。而且超微只要修改自己的處理器內建的控制器就成。英特爾要改一大堆。超微遠比英特爾體系更容易使用新技術的記憶體。 至於GDDR３的過人之處,在於更高的傳輸速率1600MB/s和更低的功耗,只有GDDRII的70%。GDDR３是來自DDR２的發展。但GDDR３與DDR２不同。 當然從K８的角度,K８更適合支持DDR２,因為K８的主記憶體遲延更小,恰恰可以掩護DDR２的主要弱點。但超微對於DDR２並不積極。要是製造商在DDR３的實際發展上加快進度,DDR３會更快問世。 |
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2004-07-08, 01:01 PM
#28
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加入日期: Apr 2004 您的住址: 高雄
文章: 290
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///目前CPU進入0.13微米以後,電磁干擾和電子飄移,漏電流的現象只會更嚴重
因為已經接近目前銅矽的物理極限,光是只有SOI,Low-K還是解決不了問題! ＝＝＝所以我之前才說到了９０奈米和６５奈米時代,高溫和高能是常態。但這會限制時脈的成長。這意味對長期堅持超純量的超微體系有利。而多核架構更因為閃電匯流排與內建控制器而更加得利。能讓多核心運算可以更飽滿。而且超微使用高速記憶體的利益會更大。照理說,應該等K８再去用藍巴斯或是DDR２的。 ＝＝＝這也是英特爾有把舊的P６微架構的奔騰３老師傅請出來－－－多桑出馬的深層原因。其一是物理限制。另一個是超微的體制壓迫。 ＝＝＝但這"狗日"的類日本名子不會有好下場。９０奈米製程的多桑超頻也才２－２.２GHZ附近。據說多桑用到了１６階管線還這德性而已。另外英特爾還沒有要承認閃電匯流排與內建控制器的好處。還在死撐。這"狗日"的以後要是不改成內建控制器與點對點閃電架構,多桑搞多核心也沒戲唱。還是個輸。 ＝＝＝英特爾或是直接買下超微。那就犯了反拖拉斯法。但犯法頂多罰錢。判分割也要很久。總比這幾年關鍵時刻在技術上沒面子要好。 ///目前慶幸0.09微米能夠順利進入量產,但是真正的難題是0.065,以目前發展 半導體每18個月倍增2倍效能,目前的熱功率密度已經快要無法解決,是頭號問題 因此Intel打算在晶圓內部導入物理熱導管,外接循環微水冷技術~~~ ＝＝＝熱功率密度一部份是因為耗能漏電來的。在前面的條件無法解決之下,２００７年之前,高時脈與新製程增加的高能高熱,就是無法解決的難題。用晶圓內部的導熱管太誇張了。金屬層要多一層熱導管層嗎?初期頂多是那個封裝表面＋外蓋＋反面的封裝底層可以這樣幹。但是這到２００W以上的事,等於是冷氣機耗電了。要是不告訴消費,這這誇張的峰值耗電,行嗎。 ///AMD因為時脈較低,高功耗發熱的瓶頸會晚一點遇到,不過終究還是半導體共同的難題說時,在這種東西沒有誰最好誰最弱,Intel有自己的技術和專利,AMD有自己的優勢 ＝＝＝超微沒有比英特爾多強太多。只是走狗屎運而已。他根本沒有多餘人力搞英特爾的netbrust這一套。他的人力少到只能玩改良。但誰知道革命和改良哪一個好啊。沒想到物理臨界限這樣早到來。至於超微離臨界點有多遠,我認為比奔騰４－５這個體系遠很多。英特爾的P７這個NETBRUST核心太巨大,不只是高時脈耗電,超微的核心比較接近RISC,甚至K８有VLIW的調調,這就省了很多電晶體,但是英特爾的核心越大也越耗電。這造成的不只是時脈限制,連超多的電晶體都更多的耗電。 ///應該要撇開一些個人觀點來討論,目前討論DDR3也還太早了些!例如DDR2雖然有時脈優勢,但是跟DDR比起來,延遲時間更長,造成效能抵銷~~~P4E相比P4C也是類似局面,並不是最新的技術或最先採用就能當王! ＝＝＝目前多數台灣記憶體製造商都願意對DDR３花錢。都是有現成１２吋廠的老闆。他們對投資的態度和超微比較像。不見兔子不撒鷹。但只有南科把大錢投在DDR２上面。還晚建了１２吋廠。我認為是雙重失利。這在股票上早有反應。 ＝＝＝英特爾對DDR２的態度和對藍巴斯很像,一開始就是個劈腿族,就像８１０晶片組,都是支援雙類型記憶體的。且都有一個災難的開端。呵呵。命運的重複。DDR２只是藍巴斯悲劇的重演。當然沒那樣慘。但會很接近。 ＝＝＝因為會買９１５和９２５板子的人,大都會買便宜的DDR記憶體。沒有足夠數量的人會因為藍巴斯效能好上一丁點,而有大量的人去買藍巴斯的。那DDR２沒有效能上更好,又貴一倍,那幹麻買。倒是筆電上省電有他的道理。但也是用在頂級筆電。這就給DDR３很大的時間機會。因為失敗的改良不如不改良。 ///AMD在K8搶得X86-64位元先機是正確的,但是可惜沒有擅用優勢拉攏軟體和OS AMD向來在行銷和產品形象軟弱無能,CEO難辭其咎,沒有安迪葛洛夫一般的決策者 ＝＝＝超微的CEO魯茲本來就像個傻勁十足的技術人員打工仔。不像個經營者。他本來就是對桑德斯聽話的乖乖牌。很像以前的國X黨連X。至於拉攏軟件商,英特爾都是用錢直接叫人家支援他的指令集的。英特爾是用錢指揮人。超微只能放技術屁。沒錢,人家根本不來勁。當然,****版面像個白痴一樣。一看就不對勁。直接翻過去。只能造成與人之間的距離。如果他的神龍６４是用ATI的RUBY做代言,你說多能拉近距離感。超微連這基本的宣傳常識都沒有。另外,超微的問題是指揮不動微軟,好讓她的WIN６４早點出。當然指揮不動。連英特爾也指揮不動。微軟的算盤以後再說。但英特爾也唬不住微軟。所以AMD６４才能最終成局。 ///況且K8內建記憶體控制單元,這對於記憶體改朝換代更是一大隱憂~~~各有優缺 討論應該要持平,切勿陷入AMD或Intel瘋狂愛好者的迷思! ＝＝＝DDR２的性能,至少可以讓內建記憶體控制器的K８,睡到８００MHZ DDR２的年代,再去支援。但是那時候K８用５００DDR也應該不犯法吧。那時候直接用DDR３也可以啊。反正沒人可以管。JEDEC又不是聯合國。那時候再直接換成DDR３。 ///這是大陸網友們應該要多注意的! ＝＝＝大陸網友是該注意。呵呵。多看我的帖。會有錯誤,但更好看。只要趨勢是對的就成。好看就成。 |
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2004-07-08, 02:02 PM
#29
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Major Member
加入日期: Apr 2004 您的住址: 高雄
文章: 290
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藍巴斯有性能長處吧,沒有成功啊。DDR２的長處並沒有超過藍巴斯多少。還不如目前的DDR用在K８上面那樣明顯。
改進的DDR２晶片組９２５X的效能增長必然是很有限的。因為主記憶體遲延的問題是該類晶片本有的特質。改進驅動等等改造是很有限的。 也是一樣的都很貴。英特爾因為藍巴斯之役,打掛了一個華裔接班人,現在英特爾已經沒有人會像當初推動藍巴斯那樣,拼了老命推DDR２的。所以要讓價格下來真是很拼的。阿婆生子。 要是眼下主記憶體又走空頭,這沒人能知道,知道的早發財了－－－那樣廠商對資金就會更小心,投資DDR２得多投資２成資金於設備上面,要是我當然是選擇蓋１２吋廠,這樣DDR２就會產能不足而保持高價,會更難推廣。藍巴斯也是處於記憶體空頭時期。大家買超賤的DDR就夠了。幹麻去玩藍巴斯啊。 超微只要把閃電匯流排與內部主記憶體控制器的簡單提速－－假想的理論上,１３０奈米製程就能到６.８GHZ DDR,如果要是記憶體控制器內部可以比處理器核心本身還要高速的話,即可抵銷英特爾在晶片組上的大量人力研發消耗。研發一顆新晶片組用的人力不下於處理器。可怕啊。 |
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2004-07-08, 02:18 PM
#30
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