當然是說prescott囉...

新設計的core還沒出來...
I老大說65nm的問題已經克服

E0製程 漏電流問題 的確小有改善

詳情可以看這 不過溫度還是蠻高的

http://www.big5.tomshardware.com/article_000086420.html
http://www.big5.tomshardware.com/article_000086421.html

在最大承載下，新的P4處理器完成了他的使命，達到有始以來最大功耗，它的確是功率最強的桌上型處理器，我們很好奇想看看超微90奈米處理器，因為即使在高負載情況下，現在可以不讓處理器發燙了。


但是 Intel 在 EM64 的 P4 6系列上 採用了更新的N0製程 電壓更低

官方網頁可以查批號序號

小弟買了一顆 6系列的 630 N0製程 哥斯大黎加製 (哥斯大黎加是英特爾最好的晶圓廠之一)

溫度 待機 在30度上下飄動而以 不過小弟使用的是很好的散熱器風扇 XP90C

使用原廠散熱器的相差5-10度 大約待機在40左右

這裡有小弟的文章說明

之前有名的 CG系列 有很多都是哥斯大黎加製造的 或許是產地的迷思之一

但是比起中國大陸晶圓廠製 和 哥斯大黎加晶圓廠製

可以購買的選擇 相信很多人還是會選擇哥斯大黎加

小弟覺得這是"製程"上的問題??
AMD好像有找IBM合作製程和生產
製程上好像比現在的Intel好些
漏電較少,所以銷耗功率和熱量
應該也較小.......

Prescott的"特色"
不然怎麼會叫噴火龍

那個技術應該是 SOI
Prescott上面並沒有使用該技術,請見以下連結
http://www.pconline.com.cn/pchardwa...2/304130_4.html

誰說AMD就沒這個問題，只要是半導體，在製程微縮下勢必電晶體閘極漏電流會變大
只是AMD用IBM技術SOI(絕緣層上覆矽)，大大的降低漏電流
而Intel沒有使用這個技術，因為他自己有一個叫做High-K的技術，將在65nm上實做
所以由於Intel進入90nm後，加上時脈的增加，而電晶體開關更頻繁，使得漏電流影響更嚴重

只是說話要正確不然會誤導別人

P4與P-M不能直接來拿這樣比，就判定漏電流不是主因。這兩者的電晶體數是不一樣的，除非P-M的電晶體數量是大於等於P4，相比較才有意義~

假設單顆電晶體的漏電流是1n安培(這是舉例，通常沒這麼大)，[總漏電流量]粗略的算法就是[CPU的總電晶體數] 乘上 [單一電晶體的漏電流]。
單顆電晶體漏電流小歸小，但電晶體數量一多，就很可怕了~

另一個為什麼P-M功耗比較低的原因，除了製程上的改進外，intel應該也用了不少低功耗的設計(這不是廢話嗎 )，這可以從邏輯閘下手，通常低功耗的設計上會用較少的電晶體來完成相同的邏輯閘(例如:傳輸閘)，但通常低功耗設計相較於時脈取向的設計會有較高的邏輯延遲時間，不利於時脈的提升。
但P4則完全相反，P4考量的是如何提高時脈。intel的方法是加深管線(把一件事切切切，切成很多份並分工來做)，但高達20階的管線是必須額外設計一片複雜的電路來實現，這也就額外增加了一筆數量可觀的電晶體數。所以EG製程的P4由於漏電問題沒完全克服，而電晶體數目又龐大，當然會變噴火龍呀 ~

所以小結一下。以CPU這種等級的IC，電晶體都有一定的數量了，要單靠在設計上下手來降低功耗會有瓶頸。最根本的還是要把漏電流的問題解決~

其實我真的覺得

買一顆 比人家耗電 跑別人慢的 又比別人貴的 cpu 真的滿更的..

關於電晶體數量，p-m dothan 可是比 p4 prescott (1M L2 cache) 還多多了，重點還是在於設計(管線深度、節電技術像是 micro-ops fusion等等)，導致 dothan 的核心電晶體數量較少，因而省電。
從你自己的言論，你都已經徹頭徹尾地看出還是"設計"的問題，思考請不要被 intel 給侷限住了。