[問題]為何0.9製程P4比AMD的溫度還要高？
 

為何P4 E與J版(FSB800 L2=512K,L2=1M,.09製程)還有賽陽 D與J版(FSB533 L2=256K,.09製程)的CPU溫度如此的高、用電量也大提升？

這大概是P4的真實時脈較高的關西吧
就像超頻時溫度也會較高

AMD現在有3GHZ以上的CPU嗎?(含可OC)
溫度多少??

這是特色 特色

90nm的漏電流問題啦...還有電晶體數量也增加不少 :stupefy:
northwood就不會這樣... :stupefy:

我的全速都還沒破60勒...(P4 3.2CG) :jolin:
一開始的2.8EG(C0)跑全速...青青菜菜都嘛60以上 :jolin:

現在的E0是有改進啦...但是全速好像還是... :stupefy:

跟90nm沒關係...完全是因為prescott這個核心的問題,才會那麼熱....

跟90nm當然有關係，愈小電晶體閘極必須愈近，漏電流會愈大，不管Intel還是AMD都一樣。

這是INTEL本身設計的問題

INTEL再不爭氣點~~龍頭要換人做做看囉:laugh:

主要還是跟設計有關，漏電流雖然有，但不是主因，只是次要原因，卻被 intel 拿來做推託之詞。
拿 intel 自家的 cpu 比就不攻自破：
P4 .13um northwood 3.2CG TDP 89W
p4 90nm prescott 3.2EG TDP 103W
p-m .13um banias 1.7G TDP 25W
p-m 90nm dothan 1.7G TDP 21W
如果 "主因" 是漏電流，為何一樣用 90nm strained sillicon 的 dothan TDP 還是下降了??? (雖然其 idle 時 TDP 也些微提昇)
更別提 AMD 了：
K8 .13um SOI newcastle 3200+ 89W
K8 90nm SOI winchester 3200+ 67W
k8 90nm SOI+DSL venice 3200+ 67W