我的意思是說
如果有先做過功課的話
就比較不會犯提出"漏電流是因為電晶體距離過近"這樣的錯誤假設
還有如之前的pipeline過長導致打入下一級資料錯誤率上升
BT核心有18級管線
諸如此類的錯誤比較不會發生
或許你也有做過功課..只是可能得到的資料錯誤或是理解不完全
anyway..感覺上您對硬體很有興趣..
可是一些基本的產品資訊沒弄清楚
還有一些硬體的基本觀念也有很大的偏差
so..我想可能這些根本的東西查清楚了再回文會比較好

謝謝！改進中。。。。。

不知道現在是否可以提個問題　你們認爲是什麽原因造成了ｉｎｔｅｌ的功耗如此之大？

intel功耗不大吧
是基於prescott核心(包括5xx,6xx,8xx)的功耗大而已
你這問題不就回到原點了..
前面討論了一百多篇也不見結果吧
說老實話
只有intel知道
因為沒有證據可解釋是漏電流..我們也不是intel晶圓廠工程師
core的設計問題也只有intel自己的設計人員才知道
所以..只要知道目前基於prescott核心的東西就是很熱就對了

還想問一個問題　不知道你對靜態功耗是否了解　如果知道的話ｐｒｅｓｃｏｔｔ核心的靜態功耗為多少呢？

靜態功耗用的怪怪的
通常是說idle power
http://www.anandtech.com/cpuchipset...aspx?i=2353&p=4
實測結果
不過有用上EIST技術

呵呵　　不好意思　大陸這邊就是這麽稱呼的！
有一點需要説明　靜態功耗就是由形形色色的漏電流組成的。隨著工藝的進步靜態功耗（漏電流）在功耗中佔的比例是呈指數級增長的　翻了下資料　在０．２５微米中靜態功耗佔縂功率的１％不到
在０．１３微米當中佔３％－５％　而到了０．０９微米　則佔了２５％（這個數據不確定）　靜態功耗可見一斑！
其實Ｉｎｔｅｌ的長處在於動態功耗（英文怎麽表示我不清楚）使用的技術主要是ｌｏｗ－ｋ低介電常數絕緣技術　以及核心電壓控制技術
ＡＭＤ的長處是在靜態功耗　也就是ｉｄｌｅ　ｐｏｗｅｒ　使用的主要是ｓｏｉ技術　　也就是絕緣夕技術
這就是爲什麽在ｉｎｔｅｌ進入０．０９ｎｍ后功耗大增的原因所在　因爲隨著主頻的提高和工藝的降低使得靜態功耗的影響加大，而ｉｎｔｅｌ本身就不擅長對靜態功耗的控制（沒有領先的靜態功耗控制技術）使得功耗大增。ｉｎｔｅｌ的對手ＡＭＤ則擁有較高的核心電壓和較低的主頻並以此來控制靜態功耗，達到了降低功耗的目的，這就是在評測當中看到的ＡＭＤ９０ｎｍ的產品的功耗並沒有高出１３０ｎｍ很多　　在某些方面ＡＭＤ也要得益于他的ＳＯＩ技術（絕緣夕）．

哇咧..又來了
prescott熱是指idle熱嗎??別搞錯了
prescott idle時有EIST運作
對比之下哪有熱到哪裡去
當然k8也有CnQ
請仔細看圖
idle之下k8只比prescott省電一點點
full load之下k8的功耗遠低於Prescott
跟你上述的論點完全相反
簡單的說..你上面這篇又是完全錯誤的解釋..我也不知道如何幫你更正了
還有low-k為什麼可以降低漏電流??
麻煩不要把所有的製程技術都跟漏電流扯上關係@@
還有你圖真的完全看不懂耶

presscott熱不是指idle熱 presscott熱是相對于AMD而言的 因爲AMD在進入90nm的后功耗比130nm並沒有多少增加 而presscott在進入90nm后功耗大增 這也是大家爭論的焦點！
對於爲何會出現這種情況 上面已經作了分析：是由於兩家公司在對靜態功耗的控制方面的能力所決定的！靜態功耗其實就是由形形色色的漏電流構成的 其中包括柵極漏電流 襯底漏電流和亞閥值漏電流
這些漏電流都會隨著電晶體的體積的變小而增加 當製作工藝從0.13提升到0.09的時候自然會引起漏電流的增加 並且是呈指數增加 上面有數據 在0.25的時候是不到1% 到了0.13的時候是3%-5% 而到了0.09恐怕已經到了25% 在0.13和0.09之間靜態功耗佔總功耗的比例上升了20% （intel方面）
presscott出現功耗大增也就不足爲怪了。
對於low-k 技術 在intel技術白皮書當中的介紹是“減少銅互連的導綫之間的電容”類似于絕緣夕。