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Senior Member
 
加入日期: Jun 2003 您的住址: Beverly Hills, CA
文章: 1,112
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DRAM Refresh Mode小測
剛好看到"爆發長度"那篇
無聊測了一下BIOS中的DRAM Refresh Mode CPU:P4 2.4C 1:1 主機板:P4P800 rev 2.0 每一項都用sisoftware sandra測三次 測試項目為Memory Bandwidth Benchmark -----15.6 uSec...472x~473x ------7.8 uSec...469x~471x -------64 uSec...475x -------64 T........38xx 結論是64 uSec效能最好 有人知道那是什麼單位嗎...  uSec & T |
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2004-07-14, 01:40 AM
#1
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Power Member
加入日期: Apr 2004 您的住址: 新竹/台北
文章: 652
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us => 1e-6 秒(念作 micro-second)
[抱歉,本來此處誤打成 10e-6, 應該是 10^-6(十的負六次方), 或用科學記號寫作1e-6] T => 通常代表週期. 不過在這裡不確定是指多少. 猜測: 或許T = 1/f, f為記憶體的clock. 如DDR400, f= 200MHz, T = 5ns 相關的基本原理 (1) DRAM 靠 電容來記憶資料 0跟1, 沒有任何read/write/refresh動作時, 電容上會慢慢漏電, 終至難以區分0/1. 所以要在時限之內作refresh. (2) 作refresh時, 會妨礙資料的讀寫 所以 refresh的週期設得長, refresh的頻率就越少,對記憶體效能的影響就越小. 但設得太長,資料可能會漏電漏光. 此文章於 2004-07-14 04:21 AM 被 bxxl 編輯. |
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2004-07-14, 03:25 AM
#2
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Senior Member
加入日期: Mar 2002 您的住址: 《八仙飯店》
文章: 1,354
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引用:
哇@@" 淺顯易懂 |
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2004-07-14, 04:01 AM
#3
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Advance Member
  
加入日期: Jul 2003 您的住址: 台南市東區
文章: 457
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引用:
好讚的解說 又吸收了^^ |
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2004-07-14, 11:35 AM
#4
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