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馬蓋先 2004-07-14 01:40 AM
DRAM Refresh Mode小測
 
剛好看到"爆發長度"那篇
無聊測了一下BIOS中的DRAM Refresh Mode
CPU:P4 2.4C 1:1
主機板:P4P800 rev 2.0

每一項都用sisoftware sandra測三次
測試項目為Memory Bandwidth Benchmark

-----15.6 uSec...472x~473x
------7.8 uSec...469x~471x
-------64 uSec...475x
-------64 T........38xx

結論是64 uSec效能最好
有人知道那是什麼單位嗎...:confused:
uSec & T

bxxl 2004-07-14 03:25 AM
us => 1e-6 秒(念作 micro-second)
[抱歉,本來此處誤打成 10e-6,
應該是 10^-6(十的負六次方), 或用科學記號寫作1e-6]

T => 通常代表週期. 不過在這裡不確定是指多少.
猜測: 或許T = 1/f, f為記憶體的clock.
如DDR400, f= 200MHz, T = 5ns

相關的基本原理
(1) DRAM 靠 電容來記憶資料 0跟1,
沒有任何read/write/refresh動作時, 電容上會慢慢漏電,
終至難以區分0/1. 所以要在時限之內作refresh.
(2) 作refresh時, 會妨礙資料的讀寫

所以 refresh的週期設得長, refresh的頻率就越少,對記憶體效能的影響就越小.
但設得太長,資料可能會漏電漏光.

redring 2004-07-14 04:01 AM
引用:
Originally posted by bxxl
us => 10e-6 秒(念作 micro-second)
T => 通常代表週期. 不過在這裡不確定是指多少.
猜測: 或許T = 1/f, f為記憶體的clock.
如DDR400, f= 200MHz, T = 5ns

相關的基本原理
(1) DRAM 靠 電容來記憶資料 0跟1,
沒有任何read/write/refresh動作時, 電容上會慢慢漏電,
終至難以區分0/1. 所以要在時限之內作refresh.
(2) 作refresh時, 會妨礙資料的讀寫

所以 refresh的週期設得長, refresh的頻率就越少,對記憶體效能的影響就越小.
但設得太長,資料可能會漏電漏光.



哇@@"

淺顯易懂

志元 2004-07-14 11:35 AM
引用:
Originally posted by bxxl
us => 1e-6 秒(念作 micro-second)
[抱歉,本來此處誤打成 10e-6,
應該是 10^-6(十的負六次方), 或用科學記號寫作1e-6]

T => 通常代表週期. 不過在這裡不確定是指多少.
猜測: 或許T = 1/f, f為記憶體的clock.
如DDR400, f= 200MHz, T = 5ns

相關的基本原理
(1) DRAM 靠 電容來記憶資料 0跟1,
沒有任何read/write/refresh動作時, 電容上會慢慢漏電,
終至難以區分0/1. 所以要在時限之內作refresh.
(2) 作refresh時, 會妨礙資料的讀寫

所以 refresh的週期設得長, refresh的頻率就越少,對記憶體效能的影響就越小.
但設得太長,資料可能會漏電漏光.

好讚的解說
又吸收了^^


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