電子所完成下世代磁性記憶體技術開發
05/12/2004

電子所完成下世代磁性記憶體技術開發

工研院電子所宣佈開發出磁性隨機存取記憶體 (Magnetic Random Access Memory, MRAM)雛型，及時切入下一世代奈米電子的製程技術開發，並充分展現協助維持我國半導體產業優勢的技術實力。

磁性隨機存取記憶體 (或稱磁電阻式隨機存取記憶體Magnetoresistive Random Access Memory, 簡稱磁性記憶體) 係利用具高敏感度的磁電阻材料製造的記憶體，是一種新穎的非揮發性 (Non-Volatile) 記憶體，同時具有快閃記憶體(Flash Memory)的非揮發特性、動態隨機存取記憶體(DRAM)的高密度潛力以及靜態隨機存取記憶體(SRAM)快速存取優點，是奈米電子技術發展研發項目中眾所看好的下世代技術。除了具有高讀寫速度、高集積度、高耐久性、低耗電及抗幅射等多項優點之外，由於可以與現有的CMOS製程整合，成為全球半導體技術發展藍圖中各國公認的重要技術目標，許多國際廠商均致力相關技術的開發。

工研院副院長兼電子所所長徐爵民博士表示，非揮發性記憶體(non-volatile memory)由於關機後資料不會流失，應用於電腦的主記憶體將可達到開機時電腦馬上進入上次關機時的畫面，省掉傳統開機所需要耗費的時間而達到’即時開啟(instant-on)’的特性，也由於可大幅降低記憶體待機時的功率消耗，日本NEC公司甚至估計，使用MRAM將可以延長手機電池待機使用時間達十倍之多。MRAM是目前最被看好、短期內最可能實用化為應用產品的新式非揮發性記憶體，世界各大研發機構與廠商如IBM、Motorola、Toshiba、NEC等都大力發展中。電子所與台積電公司自2002年起合作開發，結合台積電公司優異的前段製程技術及電子所的後段製程技術優勢，在日前完成1Kb MRAM雛型的完整製程及電路功能驗證，證實國內相關技術的可實現性。後續將進行MRAM記憶體與系統晶片整合技術的開發，為國內產業首度邁入新興記憶體產品的生產製造建立技術基礎。

磁性記憶體應用產品範圍廣泛，包括可攜式電子產品及先進行動數位與網路通訊產品等，市場潛力無窮。我國在磁性記憶體技術的研究起步雖晚，然而以國內擅長的CMOS製程技術為基礎，結合新開發的磁性材料製程，並透過產業與工研院的通力合作，快速切入磁性記憶體新產業的佈局，相關產業前景可期。