[新聞]工研院電子所宣佈開發出磁性隨機存取記憶體
 

電子所完成下世代磁性記憶體技術開發
05/12/2004

電子所完成下世代磁性記憶體技術開發

工研院電子所宣佈開發出磁性隨機存取記憶體 (Magnetic Random Access Memory, MRAM)雛型，及時切入下一世代奈米電子的製程技術開發，並充分展現協助維持我國半導體產業優勢的技術實力。

磁性隨機存取記憶體 (或稱磁電阻式隨機存取記憶體Magnetoresistive Random Access Memory, 簡稱磁性記憶體) 係利用具高敏感度的磁電阻材料製造的記憶體，是一種新穎的非揮發性 (Non-Volatile) 記憶體，同時具有快閃記憶體(Flash Memory)的非揮發特性、動態隨機存取記憶體(DRAM)的高密度潛力以及靜態隨機存取記憶體(SRAM)快速存取優點，是奈米電子技術發展研發項目中眾所看好的下世代技術。除了具有高讀寫速度、高集積度、高耐久性、低耗電及抗幅射等多項優點之外，由於可以與現有的CMOS製程整合，成為全球半導體技術發展藍圖中各國公認的重要技術目標，許多國際廠商均致力相關技術的開發。

工研院副院長兼電子所所長徐爵民博士表示，非揮發性記憶體(non-volatile memory)由於關機後資料不會流失，應用於電腦的主記憶體將可達到開機時電腦馬上進入上次關機時的畫面，省掉傳統開機所需要耗費的時間而達到’即時開啟(instant-on)’的特性，也由於可大幅降低記憶體待機時的功率消耗，日本NEC公司甚至估計，使用MRAM將可以延長手機電池待機使用時間達十倍之多。MRAM是目前最被看好、短期內最可能實用化為應用產品的新式非揮發性記憶體，世界各大研發機構與廠商如IBM、Motorola、Toshiba、NEC等都大力發展中。電子所與台積電公司自2002年起合作開發，結合台積電公司優異的前段製程技術及電子所的後段製程技術優勢，在日前完成1Kb MRAM雛型的完整製程及電路功能驗證，證實國內相關技術的可實現性。後續將進行MRAM記憶體與系統晶片整合技術的開發，為國內產業首度邁入新興記憶體產品的生產製造建立技術基礎。

磁性記憶體應用產品範圍廣泛，包括可攜式電子產品及先進行動數位與網路通訊產品等，市場潛力無窮。我國在磁性記憶體技術的研究起步雖晚，然而以國內擅長的CMOS製程技術為基礎，結合新開發的磁性材料製程，並透過產業與工研院的通力合作，快速切入磁性記憶體新產業的佈局，相關產業前景可期。

一旦該技術真的實作且普及後,可能我們對電腦的某些觀念都要重新洗牌了:agree:

其實.....去年(還是更早)在美國就已經聽說有研發出來了....(出處早已忘了)
據說量產後成本價會比現在的ram還便宜
台灣還是晚了一步 T.T

晚了一步總比老是跟別人技術合作來的好吧...:D

沒看前一陣子不知道是哪家國際大廠(英飛凌是吧?!)在嘲笑台灣，只會拿錢買技術生產..(靠!吃乾抹淨之後就開始冷嘲熱諷，只因為我們國內的12"晶圓廠比他們多，看的到吃不到就恨的牙癢癢的)

若是國內能技術生根，就不再需要看人臉色了，不是很好嗎?

是沒錯,

不過市場是殘酷的,
如果己經都被吃剩下,再去搶,
可能都吃不到大餅了

03年的公佈者是ibm與英飛凌

市場傳言ti也要切入

不過公認的還是ibm啦

nec的部分 不知道是跟台灣合作的嗎?

個人印象是接近三年前
美國聯邦半導體得到MRAM專利權
而且號稱可以把容量做到 GB 級.....
號稱啦　:D

誰最先作出實用化產品最重要，所以還是等有實際產品出現再說吧

誰先拿下IP+推出實作品+適量的推出代工成為業界標準誰就是贏家

這東西在NB.PDA.手機部份的想像空間蠻可觀的
至少可以有機會取代FLASH ROM

實作能力..............記憶中....研發成功與量產間的距離可能高達六、七年....