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Amateur Member
 加入日期: Aug 2003
文章: 40
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Twinmos顆粒和CH-5哪個性能較好呢?
小弟找到兩種不同顆粒的TWINMOS的記憶體~
不知要選那一種~ MB為P4P800 因為都只聽說CH-5很遜(跟BH-5相比) 很少聽說TWINMOS的消息 不知此兩種記記體相比之優劣~ 懇請各位大大提供寶貴意見~ |
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2003-08-17, 02:49 PM
#1
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Junior Member
  加入日期: Apr 2001 您的住址: taiwan
文章: 913
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回覆: Twinmos顆粒和CH-5哪個性能較好呢?
引用:
這二種我都用過,也都是在P4P800上試過. 想都別想當然是TWINMOS,大約是設成2.5-4-4-8吧,選BIOS中外頻*1.33的那個選項.外頻上到290以上應該還可以.記憶體加點壓. 如果用了CH-5,大概就是超不高吧.
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2003-08-17, 06:07 PM
#2
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Junior Member
加入日期: Nov 1999 您的住址: TAIPEI
文章: 870
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Twinmos 466比較好。原因就同亮哥所說。
但是市面上已經不容易買到了。如有見到，煩請告知一下。 |
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2003-08-17, 06:44 PM
#3
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*停權中*
加入日期: Jul 2003
文章: 384
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小弟淺見
這兩支記憶體都跟超頻絕緣 ! BH-5不是已經復出了嗎? 快去買吧! 省得花千又氣傷身體..... |
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2003-08-17, 06:53 PM
#4
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Amateur Member
加入日期: Jan 2001 您的住址: 台北縣,台灣
文章: 38
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小弟就是沒看到這篇討論...
昨天跑去光華敗了兩條 Twinmos DDR 400 512MB 結果回家一測... 果然是跟超頻無緣~ 本來小弟可以用BH5 CPU上290 RAM上385 (MB是ASUS P4P800) 後來換了Twinmos後...就再也不能超到這麼高了.... 建議一下各位...若是您要超頻.. 勤茂的DDR可能就不要考慮了~ 附帶一提..我同事有買A-DATA 顆粒的DDR 400 512MB 他說他可以跑到DDR 500 CL3 其他的都by SPD (用MSI 865PE NEO2 LS) 有興趣的網友可以參考參考,但是不敢保證穩超... |
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2003-09-01, 04:13 PM
#5
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Amateur Member
加入日期: May 2002
文章: 45
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唔..亂入一下
在下想請問在宇瞻或是金士頓的 DDR 400 512MB 上 三星的顆粒評價如何? 請不吝指教 , 謝謝 ~ 
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動畫 DVD 一級非限定收藏者 : 怨念 --------------------------------------- 
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2003-09-01, 04:40 PM
#6
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Master Member
加入日期: Mar 2001 您的住址: Chiayi
文章: 1,535
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那弟真的很幸運....
twinmos ddr400十分接近ddr466的水準 |
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2003-09-01, 04:49 PM
#7
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Amateur Member
加入日期: Jan 2001 您的住址: 台北縣,台灣
文章: 38
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有可能是我的MB的關係
也有可能是顆粒不同 也有可能是平台不同 充滿了相當多的可能性~~ |
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2003-09-01, 04:51 PM
#8
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Regular Member
加入日期: Apr 2000
文章: 92
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引用:
BH-5也不是隨便都好超  |
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2003-09-01, 06:58 PM
#9
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