Twinmos顆粒和CH-5哪個性能較好呢?
 

小弟找到兩種不同顆粒的TWINMOS的記憶體~
不知要選那一種~
MB為P4P800
因為都只聽說CH-5很遜(跟BH-5相比)
很少聽說TWINMOS的消息
不知此兩種記記體相比之優劣~

懇請各位大大提供寶貴意見~

回覆: Twinmos顆粒和CH-5哪個性能較好呢?
 

這二種我都用過,也都是在P4P800上試過.
想都別想當然是TWINMOS,大約是設成2.5-4-4-8吧,選BIOS中外頻*1.33的那個選項.外頻上到290以上應該還可以.記憶體加點壓.
如果用了CH-5,大概就是超不高吧.

Twinmos 466比較好。原因就同亮哥所說。

但是市面上已經不容易買到了。如有見到，煩請告知一下。

小弟淺見
這兩支記憶體都跟超頻絕緣 !
BH-5不是已經復出了嗎? 快去買吧!
省得花千又氣傷身體.....

小弟就是沒看到這篇討論...
昨天跑去光華敗了兩條 Twinmos DDR 400 512MB
結果回家一測...
果然是跟超頻無緣~
本來小弟可以用BH5 CPU上290 RAM上385 (MB是ASUS P4P800)
後來換了Twinmos後...就再也不能超到這麼高了....
建議一下各位...若是您要超頻..
勤茂的DDR可能就不要考慮了~
附帶一提..我同事有買A-DATA 顆粒的DDR 400 512MB
他說他可以跑到DDR 500 CL3 其他的都by SPD (用MSI 865PE NEO2 LS)
有興趣的網友可以參考參考,但是不敢保證穩超...

唔..亂入一下
在下想請問在宇瞻或是金士頓的 DDR 400 512MB 上
三星的顆粒評價如何?
請不吝指教 , 謝謝 ~ :p

那弟真的很幸運....
twinmos ddr400十分接近ddr466的水準

有可能是我的MB的關係
也有可能是顆粒不同
也有可能是平台不同
充滿了相當多的可能性~~

BH-5也不是隨便都好超 :o