![]() |
||
|
Junior Member
![]() ![]() ![]() 加入日期: Nov 2003
文章: 941
|
記憶體CL值
最近常常聽到這個 記憶體CL值 可是卻什麼都不知道
高手可否指點一下 |
|||||||
|
|
|
Master Member
![]() ![]() ![]() ![]() 加入日期: May 2001
文章: 2,239
|
CL : CAS Latency
CAS:Column Address Strobe CAS延遲(CAS Latency,CL)是具備延遲特性的SDRAM本身的效能相關設定。它代表傳輸列訊號與啟動bank的所需時間。當爆衝讀取週期開始時會先建立位址資料,RAS和CS(chip select晶片切換)訊號則預備在次一時脈週期(CLK頂峰)傳輸,並啟動該bank的感應放大器。在CAS和CS訊號預備時(也同樣於次一時脈週期傳輸),必須經過tRCD(RAS to CAS延遲)時段。在經過tCAC(column access time欄存取時間)後,資料的第一個位元就會在輸出線上,並且可以在次一時脈週期進行傳輸。簡單說來,CAS延遲乘以時脈速度(tCLK)必須大於或等於tCAC(或寫作CL x tCLK >= tCAC)。這代表欄存取時間是CAS延遲的主要因素。 http://www.big5.tomshardware.com/ma...am_wars-03.html 以上為TOM's的資料.請參考 |
||
|
|
|
Junior Member
![]() ![]() ![]() 加入日期: Nov 2003
文章: 941
|
感謝大大指教 不過 可否在回答小弟問題
那盒裝記憶體盒子上寫的CL值 要怎樣比較 是越大越好嗎 因為我看不大懂 要怎樣判讀 麻煩高手解答 |
|
|
|
Regular Member
![]() ![]() 加入日期: Feb 2002
文章: 72
|
CL值愈小愈好
|
|
|
|
Elite Member
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() 加入日期: Aug 2002 您的住址: 無
文章: 6,501
|
亂入~~CL3就是好
CL值是愈小愈好 ![]() |
|
|
|
Power Member
![]() ![]() 加入日期: Feb 2002 您的住址: 北極
文章: 615
|
引用:
CL3.....好......... ![]() |
|
|
|
|
Junior Member
![]() ![]() ![]() 加入日期: Nov 2003
文章: 941
|
CL3又是啥勒......天阿 越來越呆了
能不能舉個實際例子 說明一下 感恩 |
|
|
|
Power Member
![]() ![]() 加入日期: Sep 2003 您的住址: 地心
文章: 624
|
延遲越低越好嘛!速度才會快呀!
![]()
__________________
~終於升級了~ CPU AMD Opteron 165(300X9) +XP90c MB DFI NF4-D 改 HD HITACHI 160G 8M ; 80G 2M RAM G.SKILL DDR500 1GBX2 顯卡 微星6800GT PSU ZIPPY 500W 音效 Creative Live 5.1 CASE 烈火戰車 BenQ 1640 ASUS 16X DVD 羅技 銀幻手 羅技 MX510 羅技 心靈捕手 II 羅技 力回振天盾II ALTEC XA2021 CMV CT-723D 仙人掌兩棵....(吸幅射用的啦)--雨顆都掛了
|
|
|
|
Senior Member
![]() ![]() ![]() 加入日期: May 2003
文章: 1,023
|
其實前一陣子五金行測試網站就有提到,
與其弄那些所謂的最佳化參數, 不如提高操作時脈鎖增加的效能來的驚人! 高操作時脈的DDR不斷推陳出新, 反而是那些有經過廠商所謂最佳化加持的產品, 在五金行的評論是不值一骰的! 事實證明也是如此, 版上許多先進一拉高外頻時脈, 效能測試成績就會相當突出! 至於記憶體設置參數, 影響的成績就相較有限! 所以,看看就好! |
|
|
|
Senior Member
![]() ![]() ![]() 加入日期: Nov 2003 您的住址: ROC
文章: 1,204
|
CL值越小越好
一般是這三種數值2/2.5/3(好像還有1.5的) 所以是2最快3最慢 例如偶的創見DDR333(三星顆粒)效能為 CL:2 tRAS:5<--這個若能調5最好 tRP:3<--這個若能調2最好但我沒試 tRCD:3<--這個若能調2最好但是我的上不了 如有誤請不吝指正 引用:
|
|
|
|