記憶體CL值
 

最近常常聽到這個 記憶體CL值 可是卻什麼都不知道
高手可否指點一下

CL : CAS Latency
CAS:Column Address Strobe

CAS延遲（CAS Latency，CL）是具備延遲特性的SDRAM本身的效能相關設定。它代表傳輸列訊號與啟動bank的所需時間。當爆衝讀取週期開始時會先建立位址資料，RAS和CS（chip select晶片切換）訊號則預備在次一時脈週期（CLK頂峰）傳輸，並啟動該bank的感應放大器。在CAS和CS訊號預備時（也同樣於次一時脈週期傳輸），必須經過tRCD（RAS to CAS延遲）時段。在經過tCAC（column access time欄存取時間）後，資料的第一個位元就會在輸出線上，並且可以在次一時脈週期進行傳輸。簡單說來，CAS延遲乘以時脈速度（tCLK）必須大於或等於tCAC（或寫作CL x tCLK >= tCAC）。這代表欄存取時間是CAS延遲的主要因素。

http://www.big5.tomshardware.com/ma...am_wars-03.html

以上為TOM's的資料.請參考

感謝大大指教 不過 可否在回答小弟問題
那盒裝記憶體盒子上寫的CL值 要怎樣比較
是越大越好嗎 因為我看不大懂
要怎樣判讀 麻煩高手解答

CL值愈小愈好

亂入~~CL3就是好:D









CL值是愈小愈好:)

CL3.....好.........:jolin:

CL3又是啥勒......天阿 越來越呆了
能不能舉個實際例子 說明一下

感恩

延遲越低越好嘛!速度才會快呀!:o

其實前一陣子五金行測試網站就有提到，
與其弄那些所謂的最佳化參數，
不如提高操作時脈鎖增加的效能來的驚人！
高操作時脈的DDR不斷推陳出新，
反而是那些有經過廠商所謂最佳化加持的產品，
在五金行的評論是不值一骰的！
事實證明也是如此，
版上許多先進一拉高外頻時脈，
效能測試成績就會相當突出！
至於記憶體設置參數，
影響的成績就相較有限！
所以，看看就好！

回覆: 記憶體CL值
 

CL值越小越好
一般是這三種數值2/2.5/3(好像還有1.5的)
所以是2最快3最慢
例如偶的創見DDR333(三星顆粒)效能為
CL:2
tRAS:5<--這個若能調5最好
tRP:3<--這個若能調2最好但我沒試
tRCD:3<--這個若能調2最好但是我的上不了

如有誤請不吝指正