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redring
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加入日期: Mar 2002
您的住址: 《八仙飯店》
文章: 1,354
Talking

BH-5


還是得收好才是


2-2-2-5

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此文章於 2004-07-14 03:59 AM 被 redring 編輯.
舊 2004-07-14, 03:55 AM #21
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yonoko
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加入日期: Mar 2000
您的住址: 竹科之中很操的地方
文章: 2,496
引用:
Originally posted by redring
BH-5


還是得收好才是


內行人...

據我所知TCCD的最佳化極限很低
Vmem 2.85v 2-5-2-2極限也約在420上下吧!
但是BH-5用過都知道(電壓越高越High) 除頻也是一級棒
 
舊 2004-07-14, 04:02 AM #22
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yonoko離線中  
redring
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加入日期: Mar 2002
您的住址: 《八仙飯店》
文章: 1,354
引用:
Originally posted by yonoko
內行人...

據我所知TCCD的最佳化極限很低
Vmem 2.85v 2-5-2-2極限也約在420上下吧!
但是BH-5用過都知道(電壓越高越High) 除頻也是一級棒



大家都這麼早阿


早安!

小弟就先睡啦


各位也別等到太早才睡阿!
舊 2004-07-14, 04:14 AM #23
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redring離線中  
HanyuLee
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加入日期: Nov 2001
您的住址: 高雄
文章: 5,077
引用:
Originally posted by redring
大家都這麼早阿


早安!

小弟就先睡啦


各位也別等到太早才睡阿!


大家不是都早睡族的的嗎???
舊 2004-07-14, 04:17 AM #24
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HanyuLee離線中  
馬蓋先
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加入日期: Jun 2003
您的住址: Beverly Hills, CA
文章: 1,112
引用:
Originally posted by yonoko
內行人...

據我所知TCCD的最佳化極限很低
Vmem 2.85v 2-5-2-2極限也約在420上下吧!
但是BH-5用過都知道(電壓越高越High) 除頻也是一級棒


看來沒手養是對的...
家中的1.5G BH-5加減用...

前陣子才報修顆粒回來...
舊 2004-07-14, 09:25 AM #25
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馬蓋先
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加入日期: Jun 2003
您的住址: Beverly Hills, CA
文章: 1,112
引用:
Originally posted by Barracuda
看到友站狂推TCCD,不過也發現一個現象
(以下指512MB*2或*4而言,256MB*2沒這問題)
所有測試都只測SuperPi 1M和Sandra
沒人測Memtest86+和Prime95

個人推測三種可能
1. 幾個重要指標設定(如3:2的DDR400 CL2-2-2-5或是1:1的DDR570 CL3-4-4-8)下,Memtest86+和Prime95都過不了,過不了當然就會技術性的省略測試數據和照片(也許顧慮到一些因素吧.......不用說太白),這一點有相當的可能。

2. 所有測試都過得了,而且相當穩定,但是因為不小心把測試抓的圖或照的照片不慎誤刪了,所以沒能張貼上來,這一點不能說不可能。

3. 所有測試都過得了,而且相當穩定,但是因為懶,所以只貼出Superpi 1M的基本測試,也忘記用文字敘述的方式來說明,這一點也有一些些可能性。



感謝魚大精闢的分析
晚輩又學了不少...
舊 2004-07-14, 09:27 AM #26
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馬蓋先離線中  
u865
Master Member
 
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加入日期: Nov 2001
您的住址: 台北市
文章: 2,348
TCCD並沒有其他網站宣傳的那麼神,劣者覺得比較像是綜合型的大滷麵(樣樣行、樣樣鬆)
首先FSB:RAM=1:1跑雙通道開PAT時的極限不會比Hynix的好多少
甚至可能稍微低一點,金邦HynixD5顆粒的DDR550國外論壇有人能以2.85V在P4平台下FSB:RAM=1:1、PAT=On跑到300外頻了
再來就是最佳化下的時脈極限甚低,遠不如BH-5
最後就是在Scoket939的平台上的相容性也不如BH-5,劣者簡單測了一下
4條512MB的BH-5在A8V-Deluxe全插滿能跑DDR400最佳化5-2-2、CL=2
但TCCD要跑DDR400最佳化最多只能插兩條
插四條要嘛得降頻跑DDR360,要嘛得把參數調高到8-4-4、CL=2.5
所以三星TCCD顆粒反而比較適合手上沒那麼多錢卻又樣樣都想玩一玩的玩家
口袋裡比較不缺小朋友的還是建議以BH-5+HynixD5兩個組合交替玩比較爽
不管是最佳化還是最差化的極限都可以跑到最高!
TCCD唯一獨有的優點就是在P4平台可以跑300外頻、FSB:RAM=5:4吧∼
舊 2004-07-14, 09:53 AM #27
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u865離線中  
blueka
Advance Member
 

加入日期: May 2003
您的住址: 新竹
文章: 327
引用:
Originally posted by u865
TCCD並沒有其他網站宣傳的那麼神,劣者覺得比較像是綜合型的大滷麵(樣樣行、樣樣鬆)
首先FSB:RAM=1:1跑雙通道開PAT時的極限不會比Hynix的好多少
甚至可能稍微低一點,金邦HynixD5顆粒的DDR550國外論壇有人能以2.85V在P4平台下FSB:RAM=1:1、PAT=On跑到300外頻了
再來就是最佳化下的時脈極限甚低,遠不如BH-5
最後就是在Scoket939的平台上的相容性也不如BH-5,劣者簡單測了一下
4條512MB的BH-5在A8V-Deluxe全插滿能跑DDR400最佳化5-2-2、CL=2
但TCCD要跑DDR400最佳化最多只能插兩條
插四條要嘛得降頻跑DDR360,要嘛得把參數調高到8-4-4、CL=2.5
所以三星TCCD顆粒反而比較適合手上沒那麼多錢卻又樣樣都想玩一玩的玩家
口袋裡比較不缺小朋友的還是建議以BH-5+HynixD5兩個組合交替玩比較爽
不管是最佳化還是最差化的極限都可以跑到最高!
TCCD唯一獨有的優點就是在P4平台可以跑300外頻、FSB:RAM=5:4吧∼

u兄所言甚是
不過TCCD的單價我想錢不多的人也摸不起吧
小弟錢也不多....我還是寧可bh5+d5一起來
還有請教u兄.....
在P4平台可以跑300外頻、FSB:RAM=5:4應該還有其他的顆粒也行吧???
印象中gskill pro顆粒可以...bh5應該也可以
舊 2004-07-14, 10:05 AM #28
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blueka離線中  
luke929
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加入日期: Mar 2002
您的住址: 台北市
文章: 2,195
引用:
Originally posted by u865
TCCD並沒有其他網站宣傳的那麼神,劣者覺得比較像是綜合型的大滷麵(樣樣行、樣樣鬆)
首先FSB:RAM=1:1跑雙通道開PAT時的極限不會比Hynix的好多少
甚至可能稍微低一點,金邦HynixD5顆粒的DDR550國外論壇有人能以2.85V在P4平台下FSB:RAM=1:1、PAT=On跑到300外頻了
再來就是最佳化下的時脈極限甚低,遠不如BH-5
最後就是在Scoket939的平台上的相容性也不如BH-5,劣者簡單測了一下
4條512MB的BH-5在A8V-Deluxe全插滿能跑DDR400最佳化5-2-2、CL=2
但TCCD要跑DDR400最佳化最多只能插兩條
插四條要嘛得降頻跑DDR360,要嘛得把參數調高到8-4-4、CL=2.5
所以三星TCCD顆粒反而比較適合手上沒那麼多錢卻又樣樣都想玩一玩的玩家
口袋裡比較不缺小朋友的還是建議以BH-5+HynixD5兩個組合交替玩比較爽
不管是最佳化還是最差化的極限都可以跑到最高!
TCCD唯一獨有的優點就是在P4平台可以跑300外頻、FSB:RAM=5:4吧∼


樣樣行,樣樣鬆?
D5有人可以雙通道DDR600?
難道只有D5、BH-5有分體質好壞,TCCD沒分體質好壞?
請問有人以TCCD跑單通道DDR700那D5辦得到嗎?
畢竟這顆粒目前市面上還不多,面市的時間也還很短,以這麼一點測試就下這種結論似乎太武斷
A8V插滿BH-5還可以最佳化,TCCD不行 so what?
這也只能說在A8V這張主機板上BH-5相容性比較好
當記憶體電壓在2.85V以下,BH-5不管怎麼跑都跑不到TCCD能達到的頻寬
如果能以BH-5在2.85V以下的記憶體電壓穩跑達到6500MB/s的頻寬再來否定TCCD的表現不遲(P4平台)
記憶體的表現怎樣叫好,很簡單
頻寬越大就越好
只要能跑出高頻寬就是好RAM
舊 2004-07-14, 10:27 AM #29
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luke929離線中  
天昏地暗
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加入日期: Mar 2001
您的住址: 桃園縣龜山鄉
文章: 12,765
搞了一晚,還是失望收場 ,post完之後要去睡覺了
1:A-DATA TCCD 512MB*2用在Asus A8V Deluxe上,結果2.6V DDR400 CL2.0-2-2-5在跑memtest86+ 1.20版test 8時出現error,改成DDR400 CL2.0-2-2-6之後pass,進windows跑Prime 95 blend模式,4分鐘死亡 ,看來就如同luke929兄說的,memtest86+ 能過數圈,但是Prime95 blend照樣死,Prime95還真是可怕+嚴苛 .之後參考魚兄的設定,DDR400 CL2.0-3-2-5,memtest86+過不了.改成DDR400 CL2.0-3-2-6,memtest86+可以pass,但是Prime95 blend模式10分鐘陣亡.結局是.......DDR400 CL2.0-3-3-6 2.6V才能跑Prime95 blend模式不陣亡,看來對於TCCD 512MB*2想穩跑2.6V DDR400 CL2.0-2-2-5的網友,機會可能不大,不然就是要加壓.

2:G.SKILL TCCD 512MB*2更慘,用在Asus P4C800-E Deluxe+P4 2.4CG(716)275*12 1.5375V上,不管RAM參數怎麼設,只要想除頻,5:4,3:2 2.75V通通過不了memtest86+ ,測到最後只能用1:1去跑DDR550 CL3.0-4-4-8,起初設2.75V PAT關,過不了memtest86+ ,加壓到2.85V PAT開,結果memtest86+過不了,想說把PAT關掉再試試看,沒想到悲劇發生了,memtest86+ 進不去了,最後只好進Windows跑Prime95 blend模式看看.2.85V DDR550 CL3.0-4-4-8 PAT關,Prime95 blend模式4分鐘陣亡,不知是把搞死了還是怎樣,最後連DDR400 2.65V CL2.5-3-3-7都進不了memtest86+ ,結局是,G.SKILL TCCD又拆下來,換回TwinMos 512MB*2,跑DDR440 CL2.5-4-4-8 2.75V,Prime95 blend沒陣亡

搞了一晚沒睡的結果,就是A-DATA 512MB*2 TCCD在K8上普普,G.SKILL甚至可能被我搞壞了.不知為什麼我測出來的結果那麼差??Prime95 blend模式幾分鐘就陣亡了,真是無言與對.等睡醒後還要test G.SKILL那兩條是不是壞了,要是真壞了就要送修了
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舊 2004-07-14, 10:29 AM #30
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