|
||
|
Basic Member
加入日期: Sep 2008
文章: 11
|
引用:
也要買得起 記得intel tsmc samsung 都是要跟ASLM先預訂的 有某家也是想多訂 擋別人的路  |
||||||||
2019-04-10, 02:42 AM
#41
|
|
|
Golden Member
 
加入日期: Jul 2001 您的住址: Hsin-Chu / Chung-Li
文章: 3,543
|
引用:
不是買斷, 是沒錢買.. 
__________________
指揮所：陣地準備好報告! 
|
|||
|
2019-04-10, 07:48 AM
#42
|
|
|
Major Member
加入日期: Oct 2017 您的住址: 台北市
文章: 142
|
引用:
我不是說了，台積電的代工技術在全世界首屈一指，你是那一點看不懂？ ASML是一間由美國資本掌控的荷蘭公司，過去始終禁止先進的半導體生產設備出口到對岸，因為對岸除了想發展半導體代工外，還想發展半導體生產設備的製造，也就是和ASML搶生意，這才是美國最怕的，目前雙方技術差距仍然很大，如果對岸的半導體設備製造技術有了突破，ASML馬上就會解禁，為了阻止或延緩中國的生產設備達到自給自足，ASML立刻會出售最先進的設備給中國。 代工有千千萬萬種，技術層面最高的就是半導體，我喜歡用賽車與賽車手來形容台積電的代工技術，ASML是法拉利，台積電是舒馬克，沒有好的賽車選手，性能再好的賽車也拿不到冠軍，這就是台積電和ASML的關係，至於是舒馬克的賽車技術比較重要，還是法拉利的造車技術比較重要，只能說各半，千萬不要太自滿。
__________________
韓非子：國小而不處卑，力少而不畏強，無禮而侮大鄰，貪愎而拙交者，可亡也 |
|
|
2019-04-10, 08:33 AM
#43
|
|
|
*停權中*
加入日期: Feb 2000 您的住址: Taiwan
文章: 704
|
引用:
我想Firmware網友說的RAM 是外頭的DDR RAM 不是晶片內部的SRAM  |
|
|
2019-04-10, 08:54 AM
#44
|
|
|
Regular Member
 加入日期: Feb 2013 您的住址: Republic of Chunghwa (ROC)
文章: 85
|
引用:
一注美金一億。 只要你有美金一億，你也可以上牌桌來玩。
__________________
小肥羊是提醒自己在台灣不要被無良商人當肥羊宰。  騙創投的訣竅不在你的企劃多漂亮，在你能不能騙進第一個大咖投你，只要有一個頂峰大咖投你，其他創投就會無腦搶了。而頂峰大咖真的那麼聰明睿智眼光準確嗎？才怪，他是靠一個成功的投資抵掉二十個看走眼的失敗而已。 
|
|
|
2019-04-10, 11:03 AM
#45
|
|
|
Master Member
  
加入日期: Mar 2006 您的住址: On Chip
文章: 2,202
|
引用:
感謝回覆, 對 我說的是外部的DRARM |
|
|
2019-04-10, 01:03 PM
#46
|
|
|
Major Member
加入日期: Jun 2010 您的住址: 台灣
文章: 109
|
引用:
我也覺得那樣說法很奇怪，用 ASLM 設備的很多呀，英特爾、三星、海力士、台積電、聯電、格羅方德都用的阿。 |
|
|
2019-04-10, 01:13 PM
#47
|
|
|
Golden Member
加入日期: Apr 2017 您的住址: 陣亡者的靈堂
文章: 3,183
|
是ASML
不是ASLM ASLM是另一個組織 African Society for Laboratory Medicine
__________________
|
|
2019-04-10, 02:04 PM
#48
|
|
|
Junior Member
加入日期: Apr 2003
文章: 751
|
根據樓上網友提供的網址
https://www.anandtech.com/show/1417...-party-ip-ready 節錄: TSMC says that when compared to N7 (1st Gen 7 nm, DUV-only), N5 technology will allow chip developers to shrink die area of their designs by ~45%, making transistor density ~1.8x higher. It will also increase frequency by 15% (at the same complexity and power) or reduce power consumption by 20% power reduction (at the same frequency and complexity). 5nm跟7nm DUV 比起來只有面積稍微及格 相同耗電量下頻率可提升15% 或是 相同頻率下可省電20% 跟之前節點的進步幅度相比 7nm DUV-->5nm真的是又貴又不太中用 |
|
2019-04-10, 02:16 PM
#49
|
|
|
Golden Member
加入日期: Apr 2017 您的住址: 陣亡者的靈堂
文章: 3,183
|
越來越逼近物理極限
這些進步都不容易 intel要是也學三星偷吃步命名 14nm+命名13nm 14nm++命名12nm 14nm+++命名11nm 這樣觀感就好很多
__________________
|
|
2019-04-10, 02:26 PM
#50
|
|
