拿到剛入手的 G Skill DDR400 256MB * 2
先前看到諸位前輩的測試，所以滿懷信心的開始測試，
結果卻和預期大相逕庭.........
比原先的茂矽顆粒（DDR333 256MB*2）更慘，
今晚測試（連帶忙著插拔共計三小時）：

系統：P4P800 ＋ 6/3 馬來 P4 2.4C
室溫：33∼34度（攝氏）
測試軟體：Winbench99 v2.0 + 3D Mark03 + Prime
創見（茂矽）DDR333
結果：此時 RAM 以P4P800's CMOS 設成 DDR266，
若設成 DDR320 or 400 均無法開機。
開機最高 293 ＊ 12 = 3516 MHz，
但進 Win 極不穩，有時還進不了。
（CPU、RAM 加壓均無明顯效果）
穩跑：282 ＊ 12 ＝ 3384 MHz。

G Skill DDR400
結果：此時 RAM 以P4P800's CMOS 設成 DDR320，
若設成 DDR400 均無法開機，加壓到 2.85 無用。
開機最高 291 ＊ 12 = 3492 MHz，
但進不了 Windows，比茂矽更慘。
（CPU、RAM 加壓均無明顯效果）
穩跑：282 ＊ 12 ＝ 3384 MHz。（和茂矽版一樣）

不過因為是跑 P4P800 CMOS 設定值中的 320跑，
所以在效能上會勝過茂矽顆粒的創見 DDR333 。