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水舞風影
Master Member
 
水舞風影的大頭照
 

加入日期: Apr 2004
您的住址: shinjuku,Tokyo
文章: 2,295
引用:
作者brian591014
真是我功力太淺,這些名詞都搞不清
怎麼數值愈來愈大
DDRII不是速度該更快嗎 ?


來源:http://www.aopen.com.tw/tech/techinside/ddrII.htm







好處
1.DDR2 晶片使用 FBGA (細密球型網陣列) 技術封裝,確保晶片擁有更高的容量、較小的尺寸及較低的溫度。此外, DDR2 耗電量已經從 2.5V 降到 1.8V,能夠增加特別是可攜式裝置的電池壽命。

2.On-die Termination (ODT) 是 DDR2 減少電子躁音的一項有力的特色。此概念背後的含意在於,記憶體電阻置於晶片內部而非主機板上,因此訊號反應的距離更加接近它的來源,而躁音也因此被消除。

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Intel大力推行的DDRII,因為許多原因,普及率並未如預期快速..

1.因為實際出產的DDRII DRAM顆粒仍舊在200~300Mhz 附近徘徊...
而像三星、現代等韓國DRAM廠也已經生產超出額定DDR400的記憶體顆粒
像是TCCD、D5等..也都一舉將DDR工作的時脈推至250Mhz~300Mhz。


2.另一方面,DDRII 677、800遲未推出
而DDRII 400/533在效能實測後並沒有如想像中的大幅提升..

3.加上AMD遲遲未加入DDRII戰局。
迫使許多版廠、晶片組廠、記憶體生產商也不敢貿然挺進DDRII市場。

總言之..也許DDRII是將來的趨勢,不過其有待改進的地方仍舊很多。
高工作時脈相對的就必須有較大的延遲參數.....這也是導致DDRII效能不如預期的原因
之一。
     
      
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K8超頻圖文教學-終極完美版v3.7pdf /word /txt /Http

此文章於 2005-06-03 06:50 PM 被 水舞風影 編輯.
舊 2005-06-03, 06:47 PM #21
回應時引用此文章
水舞風影離線中  
brian591014
Regular Member
 

加入日期: Apr 2005
文章: 60
謝謝各位的熱情回應

至於之前提到新購的DDR400被everest判定為是pc2700一事,當我把電腦都重灌後,就再單一條的測,
這回又測出是PC3200了
然後,我把兩條都插,一條CL3一條CL2.5,可能是因為效能被CL下拉的原因,測出的是PC2700
我猜,可能CL2.5為了屈就CL3的RAM,所以頻率自動降至333,當我進BIOS定頻為400後再以
ererest測,就回到PC3200了

所以,應該是系統效能在彼此調合的結果,也還好我沒隨便就質疑店家,有先打電話詢問,及各位的協助,要不就冤枉人了

看來,我還是得再進一條CL2.5的效能較好吧,目前超頻到438左右吧,以memtest測OK
 
舊 2005-06-06, 10:59 AM #22
回應時引用此文章
brian591014離線中  
蚱蜢
Amateur Member
 

加入日期: Jul 2004
文章: 39
想請教水舞大大..關於完美超頻3.2中又化記憶體的設定、
參考以下設定可獲得最佳頻寬並進一步提升記憶體效能。(此部份僅供進階玩家設定,且並非所有主機板Bios皆支援調整)
1.儲存循環時間(Row cycleime)請設為7T
2.Row refresh cycle time 請設為AUTO
3. Row to Row delay請設為2T
4.Write recovery time 請設為2T
5.Write to Read delay 請設為1T
6.Read to Write delay 請設為2T
7.Refresh period請設為3120 Cycles(1X 3120 Cycles)
我還沒打算超頻因為還沒搞懂、所以我想先最佳化記憶體、我的主機板是ga k8ns ultra、目前記憶體(創見UCCC512X2)設定是CL=3-4-3-8-1T、本想照著水舞大大的教學去最佳化、但在第2項2.Row refresh cycle time 請設為AUTO、我的Row refresh cycle time 沒有AUTO、裡面的值大概是從9-23、所以遲遲不敢最佳化、冒昧請教大大..Row refresh cycle time 裡沒AUTO在我所說的值裡、該訂在哪一個數字為佳?我照著大大所說的最佳化去設定自己的是否可以?....在此先感謝了
舊 2005-06-06, 11:22 PM #23
回應時引用此文章
蚱蜢離線中  
水舞風影
Master Member
 
水舞風影的大頭照
 

加入日期: Apr 2004
您的住址: shinjuku,Tokyo
文章: 2,295
引用:
作者蚱蜢
1.儲存循環時間(Row cycleime)請設為7T
2.Row refresh cycle time 請設為AUTO
3. Row to Row delay請設為2T
4.Write recovery time 請設為2T
5.Write to Read delay 請設為1T
6.Read to Write delay 請設為2T
7.Refresh period請設為3120 Cycles(1X 3120 Cycles)

第2項2.Row refresh cycle time 請設為AUTO、我的Row refresh cycle time 沒有AUTO、裡面的值大概是從9-23、所以遲遲不敢最佳化


嗯...這部份的記憶體參數最佳化我是參考MSI的nForce4 超頻教學 PDF檔。
關於AUTO其實就是By SPD的意思。
但是要如何手動調整其他值,而讓
Row refresh cycle time維持By SPD呢?

1.先將DRAM Timing 的參數先設為AUTO。 儲存CMOS,重新開機後再進入Bios
2.然後將AUTO改成手動,此時參數變成可以調整。
在改變所有的參數值之前,這些數值就是您的記憶體預設值。

3.因此您只要調整您想要調整的參數值即可。

另外不同的記憶體,能最佳化的Row refresh cycle time值可能需要您慢慢嘗試找出。
剛剛我自己試過
值14=AUTO、值9=不能開機、值12=可以開機且過Pi-1M。(效能有較14T略增加..)

另外其他的最佳化值,如果您的記憶體顆粒不差,其實是可以照表調整的。
且MEM效能的確有增加。不過實際使用上.....還是只有"爽度"吧^^||

如果您照表調整後不穩,又不想加壓的話,請略調鬆參數值。

PS:我有試用下述的參數值跑過P95 Stress-RAM,過1HR以上停測。

DDR 512
CL3-3-3-8
Row refresh cycle time 14
Row to Row delay 2T
Write recovery time 2T
Write to Read delay 1T
Read to Write delay 2T
Refresh period 1X 3120 Cycles
Vram 2.8v

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K8超頻圖文教學-終極完美版v3.7pdf /word /txt /Http

此文章於 2005-06-06 11:53 PM 被 水舞風影 編輯.
舊 2005-06-06, 11:45 PM #24
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水舞風影離線中  
蚱蜢
Amateur Member
 

加入日期: Jul 2004
文章: 39
謝謝你水舞大大...不好意思讓你又寫一堆教學、目前正在研究你的完美超頻3.2、希望有一天也能成為超頻高手、再次感謝你....
舊 2005-06-07, 05:59 PM #25
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蚱蜢離線中  


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