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starbd
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加入日期: Nov 2000
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文章: 2,392
唉..為何一些朋有看影片都忽略了重點
又是稿出那種支持那一牌的意識型態
現在問題真的不在溫度
p4的設計,溫度可以跟雷鳥拼是可以遇件的(ps 0.18 vs 0.18 ;0.13vs k7未來的.13)
但是p4真的超猛,散熱器掉了,降頻運作,只是delay,但器具裝回去竟又可以繼續玩
天阿.......真的是@%@%@
但atholn4的表現真的讓我有點失望說,只好如samsung兄所說
只能等下一版以及加入SOI後會改進多少了
不過k7到底會不會加入soi阿
以目前的情況,p4時脈節節上升,amd壓力很大,好像要加速k8的進度
我心目中的最佳化k7還出得來嗎?
k7+SOI+L2 cache(把資料寬度改成256byte吧)
k7若一出來就做此最佳化,早把p3的效能轟到外太空啦
現在althon xp聽說終於要把64byte改成256byte了,不知是真是假?_?
     
      
舊 2001-09-20, 11:08 PM #21
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samsung
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加入日期: Dec 2000
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文章: 1,780
由於 0.13的最近已經在東德(得勒斯登)DRESDAN Fab30最佳化電路,
現200mm的晶圓可切出210顆雷鳥,良率有70%(300),最近的G5就是用SOI做出來的
INTEL已表明不用SOI晶圓(比一般晶圓貴1倍多了但是良率可超過90%),所以說明年的雷鳥將會出乎大家的強悍與超低的溫度,先賣個關子,還有k8已經在座樣品中,
最近國外將會有各處理器論壇,就可以從網路看到這顆長的如何,
 
舊 2001-09-20, 11:35 PM #22
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samsung
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加入日期: Dec 2000
您的住址: Cambridge Law School
文章: 1,780
AMD應該要多研發一些晶片組,這樣才能發揮Athlon的實力,其實老實講,由於一些因素
使得Athlon現在只發揮一半的實力,信不信由你
舊 2001-09-20, 11:39 PM #23
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samsung
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加入日期: Dec 2000
您的住址: Cambridge Law School
文章: 1,780
資料出處 http://ccsun57.cc.ntu.edu.tw/~b6901083/
Aceshardware看來的,這是IBM老早就在他的晶圓廠中加入這項技術,像Apple的G4,就是用了銅製程再加上SOI技術!

不然你們想想看,G4才4個stage耶!!怎麼可能做的出500MHz的CPU?並且,G4的電晶體數,和CPU複雜度也是大的嚇人!!

G4的下一代G4+,在提升到7stage,和用了SOI+Cu製程後,時脈可達1GHz!想想7stage也不過比K6-2多一點..

這些技術,目前除了IBM,還有Motorola,AMD,TI,(德州儀器),NEC,等大量廠商也有在採用.

Intel在之前拒絕在其"低耗能CPU(xscale)中採用SOI技術,

因為Intel認為SOI技術雖可降低耗能,但仍有影響晶圓品質及減低電晶體交換速度之虞,同時SOI上接合點的電容亦會減少

但是這樣一來,就必須為一般製程中"漏電"的缺點煩惱,

 

 

SOI的I是絕緣體的意思,原理是在Silicon(矽)電晶體之間,加入絕緣體物質,可使之間的寄生電容比原來少上一倍.

優點是可以提升時脈,並可以減少電流漏電,可成為省電的IC.

IBM半導體研發部副總裁達華里(Bijan Davari)說:

原本應通過交換器的電子,有些會鑽入矽中而造成浪費。SOI可防止電子流失.

Motorola宣稱,CPU可因此提升時脈20%,並減低耗電30%.

除此之外,還可以減少一些有害的電氣效應.

還有一點,可以說是很多超頻玩家所感興趣的,那就是它能工作在300度c下,也就是過熱的問題,將不會那麼嚴重了!

 

IBM導入銅製程及SOI技術生產的晶片(Power4),時脈速度超過1GHz,且每顆晶片上的電晶體多達1.7億顆。

這是多麼驚人啊!!快兩億顆電晶體,都快是K7的十倍了,還能破1GHz.

雖然這要導因於IBM世界第一的製程,但是我們還是可以看到SOI的強大之處.

 

也因此,我們提升時脈的方法,現在在"製程層面上"又要多加一項-->SOI製程.(別忘了銅製程,LOW-K)
舊 2001-09-20, 11:43 PM #24
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使魔凱特
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使魔凱特的大頭照
 

加入日期: Aug 2000
您的住址: North Taiwan
文章: 1,500
samsung兄....感謝您的資料
可以請您解說一下AMD即將導入的超純矽28(super silicon 28)嗎???
除了G4,G5外,應該更多AMD的user對他有興趣跟期待
舊 2001-09-21, 02:02 AM #25
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使魔凱特離線中  
samsung
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加入日期: Dec 2000
您的住址: Cambridge Law School
文章: 1,780
引用:
Originally posted by 使魔凱特
samsung兄....感謝您的資料
可以請您解說一下AMD即將導入的超純矽28(super silicon 28)嗎???
除了G4,G5外,應該更多AMD的user對他有興趣跟期待


超純矽28(super silicon 28)好像是在核心的地方導入這個技術,能減少20%熱量
舊 2001-09-21, 03:09 AM #26
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samsung
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加入日期: Dec 2000
您的住址: Cambridge Law School
文章: 1,780
有超存矽28,29,30
但超存矽29,30不是天然的,超存矽28則反之,且是昂貴的晶圓棒
AMD的ATHLON MP那麼貴,因為加入了這技術
不過0.13的就會用到效率更好的SOI
舊 2001-09-21, 08:42 AM #27
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dslme
Power Member
 

加入日期: Feb 2001
您的住址: 彰化.北斗
文章: 539
引用:
Originally posted by VoodooKid


Tom的測試不公正?....hmm.......I don't think so
您的P3 1G之所以待機37~38度
是因CPU有正在運作中
Tom測試的P3,是拿掉散熱器後就停止運作,
所以38度是有可能的

剛剛看完了中文版的測試報告..原來p3拿掉散熱器就當機了..
所以當機後,cpu 38度應該算是正常的..
之前因為內容是英文的..所以沒看文章內容只看影片..
以為p3跟p4一樣是降頻運作..所以才會質疑影片的內容..
不過現在p3部份我倒是了解了..
不過p4的部份還是覺得有點不可思議..
有人願意拿自己的p4試試看嗎
__________________
逃避不一定躲得過, 面對不一定最難受.
孤單不一定不快樂, 得到不一定能長久.
失去不一定不再有, 轉身不一定最軟弱.
舊 2001-09-21, 10:14 AM #28
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dslme離線中  
SUSE
Advance Member
 
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加入日期: May 2001
文章: 426
引用:
Tom測試的P3,是拿掉散熱器後就停止運作,


如果沒有運作.....那拿掉散熱器測試溫度...............
那是要測什麼事情阿???
舊 2001-09-21, 10:24 AM #29
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SUSE離線中  
紅頭安
Moderator

 
紅頭安的大頭照
 

加入日期: Apr 2001
您的住址: 地球的某一角
文章: 8,240
引用:
Originally posted by SUSE


如果沒有運作.....那拿掉散熱器測試溫度...............
那是要測什麼事情阿???

^^...
__________________
什麼都不管, 只管 do it
舊 2001-09-21, 05:02 PM #30
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