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Golden Member
 
加入日期: Mar 2003 您的住址: 台中
文章: 3,280
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引用:
請問有開cpu interface嗎 跑10倍頻的話 試試設成optimal 電壓設愈低愈好,前提是穩定 降太多 在8rda+有可能造成bios毀損
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相逢自是有緣,而重逢後就獲得大家的重視與青睞,不管我的測試得到的是指教,還是謾罵.還是扒糞.都我都接受,我想我應該改進的缺點還很多...也會繼續改進,在這裡我不想再針對其他無關測試的回應繼續口水下去,但是只要我的帳號還在,只要是我想要PO的測試,也許是今天PO,或是再等2~3年再PO,都是我的權利 
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2003-07-04, 07:01 AM
#21
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Major Member
加入日期: Jan 2003
文章: 153
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引用:
我錯了 我找到他了... 謝謝 c大 |
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2003-07-04, 07:09 AM
#22
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Golden Member
加入日期: Mar 2003 您的住址: 台中
文章: 3,280
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引用:
不客氣 不過好像沒看到你用10倍測試 
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相逢自是有緣,而重逢後就獲得大家的重視與青睞,不管我的測試得到的是指教,還是謾罵.還是扒糞.都我都接受,我想我應該改進的缺點還很多...也會繼續改進,在這裡我不想再針對其他無關測試的回應繼續口水下去,但是只要我的帳號還在,只要是我想要PO的測試,也許是今天PO,或是再等2~3年再PO,都是我的權利
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2003-07-05, 10:53 AM
#23
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Major Member
加入日期: Jan 2003
文章: 153
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引用:
^^有啊 我沒記錯的話 有時候 會顯示2800+ 不過大部分是直接送急診 目前是用11倍頻使用中 而cpu interface我倒沒有做更動 等到使用11倍頻有問題時再做更動吧 ^^ |
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2003-07-05, 11:39 AM
#24
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Power Member
加入日期: Jan 2003 您的住址: Taipei
文章: 513
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0.13um製程的 core device nominal 電壓本來就是1.2V.
但是I/O device可能是2.5V。 |
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2003-07-06, 12:01 AM
#25
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Golden Member
加入日期: Mar 2003 您的住址: 台中
文章: 3,280
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引用:
太專業了  看不懂 
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相逢自是有緣,而重逢後就獲得大家的重視與青睞,不管我的測試得到的是指教,還是謾罵.還是扒糞.都我都接受,我想我應該改進的缺點還很多...也會繼續改進,在這裡我不想再針對其他無關測試的回應繼續口水下去,但是只要我的帳號還在,只要是我想要PO的測試,也許是今天PO,或是再等2~3年再PO,都是我的權利
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2003-07-06, 04:23 AM
#26
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Power Member
加入日期: Jan 2003 您的住址: Taipei
文章: 513
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因為0.13um製程的MOS電晶體, 其工作電壓是1.2v,其Break down voltage是2.2x 1.2V=2.64 V。理論上是可以加壓至2.64V。
其實可以挑選Fast / Fast 的CPU，降低溫度至-50，加大工作電壓。在電腦模擬的結果是非常順暢，gate delay變得很小，工作頻率可以很快。 你們是實作超頻，我是模擬超頻，一樣痛快。 |
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2003-08-20, 02:17 PM
#27
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Advance Member
  
加入日期: Jun 2003 您的住址: 紐西蘭
文章: 313
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看不到圖
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2003-08-20, 02:27 PM
#28
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Advance Member
加入日期: Jun 2003 您的住址: 紐西蘭
文章: 313
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看不到圖
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2003-08-20, 02:27 PM
#29
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