南亞科技、三星等國際記憶體大廠將於德國漢諾威電腦展中，推出倍數資料傳輸記憶體 400 MHz(DDR400) 新世代產品，頻寬及脈衝分別較 DDR266 提升兩到三成，預計年底成為 P4 的主流記憶體。

南科去年布局 DDR 有成，今年首季已成為全球最大的 DDR 供應商之一，為提升產品多樣性、頻寬及脈衝，南科陸續推出DDR266、DDR333 及 DDR400，未來將視市場接受度，逐步增加DDR400 的投片量，預計年底將成為市場主流。

南韓三星挾全球產能最大優勢，去年第四季進入 DDR 領域，初期產品仍偏重在 DDR266，惟威盛、矽統等 P4 晶片組廠商已將記憶體頻寬進階到 DDR333，且主要 OEM 客戶由南科搶下，為提早搶占新世代商機，三星決定跳過 DDR333，直接切入 DDR400高效能產品。

業者指出，過去 PC100、PC133 世代的記憶體，頻寬分別在800MB 及 1GB 左右，到了 DDR200、DDR266 階段，則升級到2GB ，不過 P4 的頻寬達 3.2GB，DDR333 架構以 2.7GB 的頻寬支援，加上 AGP 控制器 1GB 頻寬，才能讓 P4 的效能充分顯露，至於 DDR400 架構，則直接可以支援 P4 頻寬 (400MHz)。

P4 的架構為 400MHz FSB、3.2GB 頻寬，近期威盛、矽統推出的P4 晶片組，南、北橋晶片未來可提升至 DDR 533，擴充性佳，只等記憶體業者進階。

南科指出，這次並未直接參加德國漢諾威產出，而該公司DDR400 產品將呈現在模組及主機板上; 目前南科 DDR266 及333 產品仍是主流，今年上半年將以 0.14 微米生產 256MbD-DR(333 型 )，DDR266 世代可能逐漸被取代。

【2002/03/11 經濟日報】