Source︰

http://www.digitimes.com/news/a20090209PR200.html

海力士半導體（Hynix Semiconductor）於近日宣佈已經開發出基於40nm的1GB DDR3 DRAM

記憶體晶片完全符合Intel DDR3的規格標準，也會送交給Intel作官方認證。

1G DDR3 DRAM的最高速度達到了2133MHz每秒，能夠在多種電壓環境下運行。

Hynix表示這款1G DDR3 DRAM將會在今年第三季度開始進入量產階段。

由於採用了三維電晶體架構技術，洩漏電流量被控制到最小，整體的功耗也得到了進一步的控制。

海力士將會把40nm工藝和DDR3高速低耗的特點運用在其他產品上

比如大容量記憶體模組、移動存儲顆粒和圖形記憶體。