請問什麼是有效測試顆粒,該怎麼分辨~

artery

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有效測試記憶體=====>俗稱白盒記憶體...就是體質比較差一點的記憶體...價格較低...能穩跑DDR-400...但是預設參數會比較低一點通常都是3.4.4.8...所以比較慢...且不能超頻...但是一般裝機也夠用了...

有效品牌====>就是使用有效測試記憶體顆粒做成記憶體模組...再拿來賣的公司...例如聯強.亞銳士.展碁.等

我濫竽這來充數一下好了...= ="|||

選購記憶體注意事項...

1...記憶體上的顆粒很重要...當然...有效測試的品牌就別挑了(聯強.亞銳士.等)

如果你買的是終生保的..那就挑一下吧...現在記憶體做的比較好的是韓國的牌子...例如:三星(Samsung TCCC較常見)的顆粒或是海力士(Hynix-現代做的 D43較常見)的顆粒

誰較韓國在記憶體上的技術領先我們..我們要加油阿..不只會代工阿...

德國的英飛凌Infineon也是很穩...

國內賣的一般金士頓是用海力士D43...創見是用三星TCCC...勝創海力士D5(250MHZ)...

記憶體時脈與頻寬

先解釋一下DDR是蝦米好了...DDR的全名為Double Data Rate...意思是：雙倍數據傳輸速率...簡單來說，現行的SDRAM...在傳輸數據時...只能在一個信號週期內的『波峰』或是『波谷』進行一次讀或寫資料的動作...也就是：Single Date Rate；由此推論即可了解：DDR就是在一個信號週期內的『波峰』或是『波谷』各進行一次讀或寫資料的動作...若單就一個信號週期來比較...DDR比SDR多了一次讀寫資料的動作，因此傳輸速率就此提高為2倍...在簡單的來說...時脈為200MHz，資料時脈可以達到400MHz，所以才叫做DDR-400....由於DDR SDRAM的資料寬度為64位元，因此每秒的資料傳輸量即為400MHz * 64bit / 8 = 3200Mbyte/s = 3.125GB/s，也因為如此，也有人將PC-400 DDR改稱為PC-3200 DDR此傳輸量比PC-133 SDR每秒傳輸資料量的1.064GB/s大很多吧...

CL值的意思就是當資料被鎖定然後讀取送到匯流排的這段時間...現在一般都是2.5或3的...2T算是很好的記憶體了..

來源~~~http://tw.knowledge.yahoo.com/quest...d=1305090504002

2007-05-22, 11:19 PM #2

hebe

*停權中*

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文章: 174

引用:

作者artery

大大說的真是太好了

讓人了解了不少

能不能請大大在說明一下什麼是2.5或3

是秒數嗎? 那..那個T是什麼意思
常常看到大大們說1T/2T

拍謝我是新手問題都問的很蠢

2007-05-22, 11:40 PM #3

artery

Senior Member

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文章: 1,104

記憶體參數規格：

　　記憶體的時序參數一般簡寫為2/2/2/6-11/1T的格式，分別代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。 2/2/2/6-11/1T中最後兩個時序參數，也就是tRAS和CMD(Command縮寫)，是其中較複雜的時序參數。目前市場上對這兩個參數的認識有一些錯誤，因為部分記憶體廠商直接用它們來代表記憶體效能。

CMD Rate祥解：

　　Command Rate譯為"首指令延遲",這個參數的含義是片選後多少時間可以發出具體的尋址的行啟動指令，服務機構是時鐘週期。片選是指對行物理Bank的選項（通過DIMM上CS片選信號進行）。

如果系統指使用一條單面記憶體，那就不存在片選的問題了，因為此時只有一個物理Bank。

　　用更通俗的說法，CMD Rate是一種晶片組意義上的延遲，它並不全由記憶體決定，是由晶片組把虛擬位址解釋為物理位址。不難估計，高密度大容量的系統記憶體的物理位址範圍更大，其CMD延遲肯定比只有單條記憶體的系統大，即使是雙面單條。

　　Intel對CMD這個問題就非常敏感，因此部分晶片組的記憶體通道被限制到四個Bank。這樣就可以比較放心地把CMD Rate限定在1T，而不理用戶最多能安裝多少容量的記憶體。

　　宣揚CMD Rate可以設為1T實際上多少也算是一種誤導性****，因為所有的無緩衝（unbuffered）記憶體都應具有1T的CMD Rate，最多支持四個Bank每條記憶體通道，當然也不排除晶片組的侷限性。

tRAS：

　　tRAS在記憶體規範的解釋是Active to Precharge Delay，行有效至行預充電時間。是指從收到一個請求後到啟始化RAS（行位址選通脈衝）真正開始接受資料的間隔時間。這個參數看上去似乎很重要，其實不然。記憶體訪問是一個動態的程序，有時記憶體非常繁忙，但也有相對空閒的時候，雖然記憶體訪問是連續不斷的。tRAS指令是訪問新資料的程序(例如開啟一個新的程序)，但發生的不多。

　　接下來幾個記憶體時序參數分別為CAS延遲，tRCD,以及tRP，這些參數又是如何影響系統效能的呢？

CAS:

　　CAS意為列位址選通脈衝(Column Address Strobe 或者Column Address Select),CAS控制著從收到指令到執行指令的間隔時間，通常為2，2.5,3這個幾個時鐘週期。

在整個記憶體矩陣中，因為CAS按列位址管理物理位址，因此在穩定的基礎上，這個非常重要的參數值越低越好。程序是這樣的，在記憶體陣列中分為行和列，當指令請求到達記憶體後，首先被觸發的是tRAS (Active to Precharge Delay)，資料被請求後需預先充電，一旦tRAS被啟動後，RAS才開始在一半的物理位址中尋址，行被選定後，tRCD啟始化，最後才通過CAS找到精確的位址。整個程序也就是先行尋址再列尋址。從CAS開始到CAS結束就是現在講解的CAS延遲了。

因為CAS是尋址的最後一個步驟，所以在記憶體參數中它是最重要的。

tRCD:

根據標準tRCD是指RAS to CAS Delay（RAS至CAS延遲)，對應於CAS,RAS是指Row Address Strobe，行位址選通脈衝。CAS和RAS共同決定了記憶體尋址。

RAS(資料請求後首先被激發)和CAS(RAS完成後被激發)並不是連續的，存在著延遲。然而，這個參數對系統效能的影響並不大，因為程序存儲資料到記憶體中是一個持續的程序。在同個程序中一般都會在同一行中尋址，這種情況下就不存在行尋址到列尋址的延遲了。

tRP:

　　tRP指RAS Precharge Time ，行預充電時間。也就是記憶體從結束一個行訪問結束到重新開始的間隔時間。簡單而言，在依次經歷過tRAS, 然後 RAS, tRCD, 和CAS之後，需要結束當前的狀態然後重新開始新的循環，再從tRAS開始。這也是記憶體工作最基本的原理。如果你從事的工作需要大量的資料變化，例如視瀕繪圖，此時一個程序就需要使用很多的行來存儲，tRP的參數值越低表示在不同行切換的速度越快。

= ="複製貼上真好用

2007-05-23, 12:41 AM #4

stratos2005

Power Member

加入日期: Mar 2005

文章: 648

UTT/ETT只是指做基本電性測試OK，未詳測，未上mark
也未分級的顆粒罷了。他原本並不一定比較差
但是粗糙或不誠實的電性分級，確實會讓顆粒品質下降

舉例來說，好比你買蘋果，xx果園賣紅的大的一斤100
不紅小一點的一斤50。那小的酸的一斤10元，爛的就送你
看你想買哪種都可以，這些分級過的顆粒，打上果園mark
就像是上面這些原廠顆粒

另一種買法，你跟果園老闆談，這棵樹產出大約100斤蘋果
不管好壞，我全包，這些蘋果打上我自己的mark
所以口碑跟好壞不影響你的果園，那一斤全都算我60元
而買下這些蘋果後，假如有越多越大越紅，可以賣一斤100的蘋果
那我就越賺錢，這就像是UTT/ETT的顆粒

所以ETT/UTT顆粒的好壞，完全看買回去的人怎麼挑
模組廠昧者良心，把SPD寫慢，把電壓寫高，能挑出的高速顆粒就多
假如他依照原顆粒廠的規範來挑選，那其實品質也就會差不多

那ETT/UTT的顆粒品質到底怎麼樣？其實我也不知道
我自己用的印象...只能說不太好。但是我也用不了幾種啦
只是這些顆粒常常就只能跑比標準速度高一點
這就好像標榜急速200km的車，當你開到210km時會crash
那你就算乖乖開200km，你會不會有點膽戰心驚呢？
當然..超頻有時候不是為了超頻，而是方便測試穩定度
反正市面上除了金士頓跟創建之外，也全都是UTT/ETT顆粒

至於那些原廠顆粒，要說測試過程比較嚴格是很正常的
因為dram廠的簽約廠商，通常都是像ibm那樣很龜毛的
但是好超的原廠顆粒也不一定很多，我用過nanya，promos跟psc
只能超頻上都很普通，沒有比那些UTT顆粒好。
Hynix ddr667 oc 800差不多吧，大概就是780-820
samsung跟mt d9gmh就真的是非常好超
以上的超頻全都是跑標準電壓1.8v

2007-05-23, 03:09 AM #5

hebe

*停權中*

加入日期: Apr 2007

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文章: 174

引用:

作者artery

拜讀了大大的詳細資料
發現還蠻難的

搭配維基百科與奇魔知識+研究中...

謝謝artery大熱心的提供資料

2007-05-23, 08:26 AM #6