小弟有看書上的DRAM電路圖每一bit是由兩個n通道mosfet所組成 儲存的資料是靠對地的電容來儲存 想請問各位大大以目前的DRAM(ddr ddrII)來講 這個可以儲存電荷的電容 是用什麼材料所製作的??

書上寫說充電時間常數是15.6us 但是我看everst系統軟體 記憶體部分的更新率
顯示"減少(7.8us),self refresh 剛好是15.6的一半 這又是為什麼呢??