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Basic Member
加入日期: Feb 2005
文章: 21
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威剛DDR433 的記憶體參數???
請問一下要如何設才好呢?????本身是設 2.5 3 3 7.....
想問說怎樣是最佳化........... |
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2005-03-07, 09:12 PM
#1
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Major Member
 加入日期: Dec 2004
文章: 123
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2.2.2.4就對了啦~
PO清楚一點應該能給你更好的答覆
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-----------My PC----------- CPU:P4 650 3400MHz @4126 CPU FAN:CoolMaster Hyper6+"神塔3" MB:ASUS P5ND2 SLI DELUXE 0708 VGA:LeadTek GeForce 7800GTX MEM:A-DATA DDRII 667 CL4-4-4-12 1G DVD-RW:PIONEER A09 DVD-RW:BENQ 1620Pro HDD:80G SATAII*2 RAID0,WD 120G SATA LCD:ViewSonic VP171S*1 ViewSonic VG150*1 DUAL DISPLAY POWER:SeaSonic S12 430W CASE:LIAN LI PC-60+ FAN:前12CM*2 後12CM*1 8CM*1 上8CM*1 PI:32s 3DMark05:7433 |
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2005-03-08, 02:21 AM
#2
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Master Member
  
加入日期: Apr 2004 您的住址: shinjuku,Tokyo
文章: 2,295
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重po...
請樓主先研究研究.. -------------------- 關於記憶體參數，一般常出現的，整理略述如下: CAS# latency (Tcl) 全名:預充電時間 (CAS Latency)：通常簡稱CL。 例如CL=3，表示電腦系統自主記憶體讀取第一筆資料時，所需的準備時間為3個外部時脈 (System clock)。CL2與CL3的差異僅在第一次讀取資料所需準備時間，相差一個時脈，對整個系統的效能並無顯著影響。 RAS# to CAS# Delay (Trcd) 全名:列控制器至行控制器傳輸延遲(Row Adress Strobe,列位址控制器)to CAS(Column Adress Strobe,行位址控制器) 。 記憶體控制器會先送出列(ROW)的位址(例如第2列)，然後RAM收到列的位置後，經過一段時間，才會再傳送行(Column)的位址，而這一段時間就是RAS Delay Min RAS# active time(Tras) 又稱RAM Active Timing(記憶體活躍延遲，我硬翻的..) 一般記憶體模組有分1bank跟2bank(非單面雙面顆粒之分)，當CPU在Bank1找完資料,Bank1便需要一段時間恢復才能再供利用,這一段時間就是RAM Active Timing。 Row precharge Time (Trp) 全名:自我充電時間 (Self-Refresh)。DRAM內部具有獨立且內建的充電電路，並於一定時間內做自我充電， 通常用在筆記型電腦或可攜式電腦等的省電需求高的電腦。 -------------------------------------------------- 由於DDR RAM的資料儲存方式，是以一列下去儲存，放滿了或是不夠放，才會換列。 因此位置的傳送常常是(第2列,第2行)、(第2列,第3行)、(第2列,第5行)這種方式。 因此列定址後，只有行在換。也就是說，一直在跑RAS# to CAS# Delay (Trcd) 等到行定址後，又要自主記憶體讀取下一N筆資料，而所需的準備時間就是CL值。 因此RAM的參數中以CAS Latency跟RAS to CAS Delay為最重要。 總結上述，這些記憶體參數選項代表了記憶體在既定的時脈下，(原本的工作時脈) 其DRAM顆粒內部指令傳輸的延遲，或是顆粒自我充電、放電所需時間、準備下一筆、找尋資料時間，等等。因此想要記憶體以高時脈運作，則記憶體參數就必須調高(鬆) 否則記憶體容易傳送錯誤資料，或是不穩定。 最常看到的DDR400/DDR500，記憶體參數有 CAS# latency (Tcl) 3.0 RAS# to CAS# delay (Trcd) 4 Row precharge Time (Trp) 4 Min RAS# active time(Tras) 8 也有更高的(傳輸延遲更久的) CAS# latency (Tcl) 3.0 RAS# to CAS# delay (Trcd) 5 Row precharge Time (Trp) 5 Min RAS# active time(Tras) 10 以上參數通常適用DDR500以上。 若您的記憶體體質相當不錯，也可以試試看以 CAS# latency (Tcl) 3.0 RAS# to CAS# delay (Trcd) 3 Row precharge Time (Trp) 3 Min RAS# active time(Tras) 6 體質好的顆粒若跑DDR400 參數可以調至 CAS# latency (Tcl) 2.5 RAS# to CAS# delay (Trcd) 2 Row precharge Time (Trp) 2 Min RAS# active time(Tras) 5 ------------------------------------- DDR433??其實就是比標準DDR400要好一點點， 極限約在DDR444以下.. 通常參數為CL2.5-3-3-6 給您參考 |
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2005-03-08, 02:49 AM
#3
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Basic Member
加入日期: Feb 2005
文章: 21
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謝謝大大的回覆......我調2.5 3 3 6可以用喔.......那我就調這樣好了.......覺得2 2 2 4有點難....記憶體說不定會掛.........哈哈....
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2005-03-08, 04:50 PM
#4
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Advance Member
加入日期: Nov 2003
文章: 389
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我也用威剛的512MB DDR433,電壓預設值應該是多少?
現在跑432MHZ 2.5/3/3/7 1T 用2.75V會太高嗎? |
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2005-03-08, 06:28 PM
#5
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Master Member
加入日期: Apr 2004 您的住址: shinjuku,Tokyo
文章: 2,295
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引用:
威剛DDR433 既然已標示 DDR433，就表示其可以穩定於222Mhz以下運作.... 則默認電壓值應是2.6v 請試試調回2.6v，並將參數調成CL2.5-3-3-6.. 此文章於 2005-03-09 03:54 AM 被 水舞風影 編輯. |
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2005-03-09, 03:53 AM
#6
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Major Member
加入日期: Dec 2004 您的住址: Taiwan
文章: 219
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引用:
記憶體參數在最佳化後，最好還是測一下Memtest 86+，看RAM跑得穩不穩 ，否則操作OS的時候很容易莫名其妙的當掉。曾經差1個Clock而已，Memtest86+ 就紅一片了....當然也是當的很爽...  |
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2005-03-09, 04:07 AM
#7
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Advance Member
加入日期: Nov 2003
文章: 389
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引用:
2.6V的話跑1T不太穩,2T的話則沒問題...2.75V的話跑1T,PRIME95可過8小時 還是暫時先不要加壓好了...乖乖跑2T... PS.水舞風影大哥好熱心呀~ |
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2005-03-09, 06:29 AM
#8
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*停權中*
加入日期: Feb 2005
文章: 1,600
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他本來就很熱心
引用:
只是上次說要伉儷啟亨的時候食言了而已,除此以外都很不錯......  如果您用2.7V跑DDR433 CL2.5-3-3-8 1T可以穩過Prime95八個小時,再測Memtest86+DOS版OK的話,建議您就這麼辦吧! 弟自己用過威剛力晶顆粒,還不錯,DDR400 CL2-3-3-6過測Prime95 Blend十四個小時,您就參考參考吧!  |
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2005-03-09, 08:47 AM
#9
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