好處不少, 之前教科書提到 SOI 好處我記的有
1.減少 Junction leakdge
2.抗雜訊能力提高
3.簡化製程
4.便於 isolation
5.還能做出 double/triple/gaa/ 等新架構的 MOSFET
至於在 Mobility 方面是偏向 Strained-Si 的領域 [/B][/QUOTE]
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謝謝您的解釋
由於小弟我不是走製程所以這方面的知識較貧乏
大多focus在電路架構上的探討
台積也沒提供soi的製程model
所以從書上看來的理論無法印證在實做上
想說您可能有實做過
可能比較了解