把最近手上的RAM拿來測試..全部未加壓測試

DDR400/BT-5*4.....英飛凌.....可上230外頻 3-3-3-7
DDR400/BT-D43*4...HYNIX......可上220外頻 3-3-3-7
DDR400/DT-D43*4...HYNIX......可上245外頻 3-3-3-7
DDR500/D5*2.......HYNIX......可上280外頻 3-4-4-8
DDR400/TCCC*2.....SAMSUNG....可上210外頻 2.5-3-3-7
DDR333/TCB3*2.....SAMSUNG....可上240外頻 2.5-2-2-6
DDR266/TCB0*1.....SAMSUNG....可上150外頻 2-2-2-5
PC133/TC75*1......SAMSUNG.....133外頻 2-2-2-5(沒MB測VIA的CHIP...=.=)

測完這些..最讓我驚奇的就是DDR333/TCB3這支 超好超..簡直媲美DDR500的HYNIX的顆粒..參數也粉優..供大家參考
補充一點...
除了DDR500/D5是256M的其搭都是512M

　　TCB3是三星推出的6ns DDR顆粒，可以穩定地工作在PC2700, 2-2-2-X的時序，參數非常優秀，此外它同樣可以工作在PC3200,但是不能繼續維持這么高的時序，200MHz時的時 序為2-3-3-6，不過也已經很不錯了。TCB3的頻率極限在230MHz左右，對于對于默認為166MHz的內存來說超頻幅度很大，TCB3對于電壓並不太敏感，3.0V電壓下頻率提升也不是很 大；實際上，OCZ的幾款PC3700內存就是採用了TCB3顆粒，顯得有些不可思議。TCB3搭配那些FSB不超過180MHz的處理器效果很不錯，許多著名品牌的高端PC2700內存都採用了這款 顆粒，包括Corsair XMS2700, XMS3200, Kingston Hyper X PC2700, Mushkin PC3200以及TwinMos，OCZ的部分型號。