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Elite Member
  
加入日期: Nov 2001 您的住址: 高雄
文章: 5,077
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MB P4P800SE
CPU P4 2.4C RAM A-DATA DDR RAM 記憶體部分設定2.55V 以下測試PAT方面設定TURBO 另一記憶體加速選項設定Enable 2.4C @3.61G 301FSB RAM=DDR480 CL 2.5-3-3-5 (2.55V)  2.4C @3.61G 301FSB RAM=DDR400 CL 2-2-2-5 (2.55V)  2.4C @3.3G 275FSB RAM=DDR550 CL 3-4-4-8 (2.55V)  以上記憶體不加電壓設定2.55V |
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2004-06-19, 12:18 AM
#31
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Elite Member
加入日期: Nov 2001 您的住址: 高雄
文章: 5,077
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把記憶體電壓設定2.75V
CPU 2.4C @ 3.76G 313FSB P4P800SE DDR418 CL 2-2-2-5  CPU 2.4C @ 3.76G 313FSB P4P800SE DDR501 CL 2.5-3-3-7  最後吃飽太閒 把BH-5 2隻 在加進來 跟 A-DATA 550 混插 電壓2.75V 2.4CG @3.6G FSB 300 DDR400 CL 2-2-2-5 *4  |
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2004-06-19, 12:27 AM
#32
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Power Member
 
加入日期: May 2003 您的住址: Taipei
文章: 651
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前頁的Dual Prime95真是帥呆了!...但電壓的需求比D5高了些!
http://myweb.hinet.net/home4/jamesfuh/snap9008.jpg ...不過您測的時間較長...較具公信力! P4P800上...PAT被Disable竟然參數變好,還有效降低Vddr電壓...這有趣! |
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2004-06-19, 12:35 AM
#33
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Elite Member
加入日期: Nov 2001 您的住址: 高雄
文章: 5,077
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其實我也覺得D5真的很不錯 衝高外頻的不二選擇
而三星的優勢是比D5的適用範圍廣可衝高外頻也可最佳化 再搭配A-DATA 的PCB除頻也都很正常 我覺得這個是優勢 謝謝收看 ASUS+Albatron +A-DATA + ABIT(johnnyliu3377兄) 4A鐵隻測完了  |
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2004-06-19, 01:05 AM
#34
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Master Member
加入日期: Dec 2001 您的住址: 台中大里、台南市
文章: 1,668
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所有優點都到位了
1. 300外頻3:2跑DDR400 CL2-2-2-5 2. 300外頻5:4跑DDR480 CL2.5-3-3-5 3. 高外頻同步1:1 DDR550 CL3-4-4-8 4. 低電壓都可運作2.55v 5. 相容性與BH-5混插256MB*4 參數依然可以CL2-2-2-5 ........還漏掉什麼嗎？ 唯一無法達成就剩下~~300外頻1:1跑DDR600 幾乎可稱之為夢幻記憶體模組  |
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2004-06-19, 01:41 AM
#35
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