比熱是物質容納能量的能力,他只是增加內能,不會有發散的能力. 意思就是說你一直增加能量,他溫度還是得增加.
熱傳導係數代表物質傳輸/吸收能量的能力,物質熱傳導係數高代表他能很快的吸收溫度,很快的將吸收的溫度反應到整體. Cp高只能反應出物質本身不容易升高溫度[就像是大水缸裝水不容易提昇高度一樣],Cp低就能很快的反應出能量的增減.

假如熱傳導係數很低,Cp很高,那你會發現一端你已經燒了很久,但是另外一端還是冷冰冰的根本沒有熱傳的增減.熱傳導係數很低,Cp很低那就會出現物質已經開始燃燒了,你的另外一端還是沒有溫度變化. 熱傳導係數很高,Cp很低,代表著你一給能量,溫度就馬上劇烈的增減. 熱傳導係數很高,Cp很高代表著能量輸入很久,溫度才會有較大的反應。

講到這裡我想會有很多人會問,那Cp還是跟熱傳有關.

我們以chip的角度來看,熱傳導係數很低會出現chip都已經燒了,但是鰭片的溫度都沒上升.熱傳導係數很高,就算是Cp也是很高,但是為chip而言他的溫度還是一樣不會變.
因為能量被鰭片給吸收走了.

對於鰭片而言,Cp低,溫度增減很快,你會發現你關機後,鰭片很快就涼了.
Cp高,溫度增減很慢,當能量停止輸入時,需要較多的時間才能讓溫度降下去.[因為鰭片本身吸收較多的能量的緣故.]{[這邊已經加入額外時間因素,因為假如不加入時間因素,不好解釋Cp的物理意義]}

但是對於熱逸散係數而言,代表著低比熱能有較高速的熱逸散能力,因為它能快速的反應溫度的增減,"加快鰭片端的能量逸散能力",但是對於長時間穩態供給能量的晶片而言,他是沒意義的.
這也就是我所說的八竿子打不著邊.

因為對於晶片而言,能量都已經供給給鰭片了,鰭片只要能將能量給發散出去,保持晶片溫度的恆定與否,鰭片能量是否容易給流體帶走,這可不關晶片的事.

假如那要說有影響,那還是凹的到-"加入時間因素,不再以穩態來看待時". 因為高熱傳導係數,低比熱的物質可以馬上反應週邊溫度的增減給晶片,改變單位時間內對晶片吸收能量的能力. 例如周圍溫度一高,鰭片馬上反應給晶片知道,晶片的溫度也會馬上上升.

對於高熱傳導係數,高比熱物質,對於晶片而言,反應就會很慢.