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Intel認為SOI技術降低耗能,有影響晶圓品質及減低電晶體交換速度之虞,SOI上接合點的電容亦會減少,但是這樣一來,就必須為一般製程中"漏電"的缺點煩惱,
SOI的I是絕緣體的意思,原理是在Silicon(矽)電晶體之間,加入絕緣體物質,可使之間的寄生電容比原來少上一倍.優點是可以提升時脈,並可以減少電流漏電,可成為省電的IC.
舊 2001-09-20, 01:24 AM #5
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