看到首頁新文章"8K7A(+)改造:超高DDR電壓入力"提到要超DDR電壓到3.5V(以上),感覺實在非常不妥,一些意見提供大家參考.

1.現在一些具競爭力的記憶體大廠,製程用的幾乎是0.18u/0.17u甚至0.14u/0.13u, 在這種製程下cell所能承受的電壓實在遠小於3.5V,所以若運氣不好,可能一下子就掛了.

2.一般記憶體大廠都有所謂的可靠度實驗,他們改變測試環境在幾百小時內模擬10年或甚至20年後的使用壽命.其中電壓就是一個最主要的加速因子,就我所知,3.5V已經非常高了.所以如果你在這環境下跑了幾天,就等於是你不關機跑了好幾年,所以這記憶體可能一下子就未老先衰了.

3.有些記憶體設計師他們採用了電壓調變技術,就是把外部電壓先調整(降)到某一固定電壓,再進入memory cell.這樣可以保護內部線路,同時設計上及應用上不會因外部電壓導致準位偏移.換句話說,它的特性(速度)是固定的,不會因加壓就變快.

從以上3點可以知道,若你加壓到3.5V,若會變快,你得小心它會掛掉或早夭.若不會變快,雖然比較沒有壽命問題(但別忘了調變電路及前端電路,仍在超壓),但速度也沒變快. 當你要玩這遊戲時,建議你先去查原廠data sheet的absolute max rate,看他承受多少最大值,不過提醒你,2.5V+-10%是正常工作範圍,若超過太多,你是在加速它的老化.
建議站長或原作者考慮一下,因為我完全看不到任何警語,而這是非常嚴重的一項破壞性實驗.文章的專業性有待商搉.