曝光機解析度已經並非極限, 極限已經是轉回E Beam去了(只是成本一般人無法接受, 所以改成E Beam+Photo Lithography)
UV曝光機解析度的極限應該是已經達到了, 得改用EUV或是E Beam才能曝出你想要的圖形
另外GG的製程代號已經是灌過水的.....

真正的極限是Silicon材料本身的穩定度, 低於70A, 又要承受高溫與高電流的狀況下, 有可能材料會產生類似electron migration或是doping材料的再擴散之類的狀況導致電晶體fail

其他的限制主要包括了氧化層的抵抗力(後面得牽扯到平坦化材料與CMP)