引用:
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作者segaage
磁阻式RAM,在下記得這產品好像是美國那邊先造出來的?
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磁阻式隨機存取記憶體（Magnetoresistive Random Access Memory，縮寫為MRAM），是一種非易失性記憶體技術，
從1990年代開始發展。這個技術的擁護者認為，這個技術速度接近SRAM，具有快閃記憶體的非揮發性，容量密度及使用壽命不輸DRAM，平均能耗遠低於DRAM，成為真正的通用型記憶體（Universal memory）[1]。它目前由Everspin公司生產，其他公司，包括格羅方德(GlobalFoundries)和三星集團已經宣布產品計劃[2][3]。
歷史
以下大部分內容均來自mram-info網站：
1955年，磁芯記憶體具有與MRAM相同的讀寫原理。
1984年 - 巨磁阻效應的發現
1988年 - 歐洲科學家（阿爾貝·費爾和彼得·格林貝格）發現了薄膜結構中的「巨磁阻效應」。
1995年 - 摩托羅拉（後來成為飛思卡爾）開始了MRAM開發工作
1996年 - 自旋扭矩轉移被提出[4][5]
1998年 - 摩托羅拉開發256Kb MRAM測試晶片[6]
2000年 - IBM和英飛凌建立了MRAM聯合開發計劃。
2000年 - Spintec實驗室的第一個自旋扭矩轉移專利。
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個人點評: 以下沒有更新, 大概被發現構造比現有的構造複雜太多, 目前沒有量產商業應用的誘因
而清大發表的研究論文內文裡提到的正是在新穎的結構創新, 新聞也提到這個東西到處投論文都被拒絕.
最後雖被收錄, 我認為 "學術期刊的技術發表 不一定要搭上商業應用" "有做卡贏沒做"
.."誰說大砲不能打麻雀? 也許以後砲彈一顆一分錢... " "看看上面那些公司有沒有花幾億來買專利或來告就知道有沒有價值了".....