很簡單的回應一下
NAND的儲存是以浮動閘極(floating gate) 存放電子為主
雖然現在有新技術是以氮化矽做electron trapping
但是目前來說，NAND的儲存還是以是否電子放進Floating gate 中作為0/1的判讀

一般來說，NAND最常被注意的是P/E cycle數，這是可靠度(reliability)
但是有一像是比較少聽到的叫資料保存 (data retention)
這是因為電子儲存在浮動閘極時，電子是有可能因為某些原因跑掉的
當製程越往下微縮時，這樣的現象越嚴重
另外就是溫度約高，電子跑掉的速度就會越快

我認為這篇文章有它的理論基礎在
但是資料是否會這麼快消失，這是存疑的
舉個例子，行車紀錄器的儲存媒介也是NAND flash (SD Card)
在大太陽曝曬下，也沒看到資料會完全消失吧