簡體的那篇後面有簡單說明，有高手能確認文章說法是否正確????

从技术上解释下这个数据保存的问题。半导体的导电性跟温度息息相关，这对NAND闪存来说不是好消息，因为断电之后电子理应不再移动，否则就会改变Cell单元的电荷。换句话说，随着环境温度的升高，电子会更快地从浮栅极逃离，最终会导致Cell单元的电压状态改变，导致数据不可读。

活动状态下则是另一回事，更高的温度会硅基导电性更高，P/E操作过程中电流量更高，隧道氧化层的压力更少，这会提高Cell单元的可靠性，因为SSD可靠性主要就是受限于隧道氧化层保持浮栅极中的电子的能力。