引用:
|
作者HigH
22nm依然還是極限啊
你得先搞清楚22nm為什麼是極限
因為現行193nm DUV曝光機只能做到40nm
+水改變折射率也只能到22nm (註: 以上都是指能達到量產良率的線寬)
再下去要換成EUV曝光機或者用電子束曝光
兩種都還有很大問題, EUV建造成本太高, 雷射耗能太大
而電子束曝光超級慢
如果以上問題沒辦法解決, 摩爾定律22nm就會終結了
原因不在於良率, 而是成本
|
不能同意你更多
而且石墨烯在FET的應用已經進入商業階段
石墨烯的優勢在於它的電子傳導率實在太高了
設想一個面積很大，但是跑的超快還比同樣電晶體數的矽IC省電的石墨烯
Who will win ?
以TSV技術來說，石墨烯同樣做得到還更薄XD
石墨烯目前量產的成本還偏高，但是未來可能會比矽還低
製成那些其實都不是問題，畢竟現在石墨烯就已經跑的比矽快與省電
石墨烯IC要量產重點是EDN以及製程上整體的規劃
我個人是覺得等到真的突破20nm大關這些東西也都問世了
到時候就會看3-D IC Pk 2-D IC
矽VS碳
不過一切看成本，就我所知製造石墨烯的成本很低，但是要做成IC的成本可能不低
據說矽也有單層架構，就看矽能不能繼續挺下去了