引用:
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作者HigH
22nm依然還是極限啊
你得先搞清楚22nm為什麼是極限
因為現行193nm DUV曝光機只能做到40nm
+水改變折射率也只能到22nm (註: 以上都是指能達到量產良率的線寬)
再下去要換成EUV曝光機或者用電子束曝光
兩種都還有很大問題, EUV建造成本太高, 雷射耗能太大
而電子束曝光超級慢
如果以上問題沒辦法解決, 摩爾定律22nm就會終結了
原因不在於良率, 而是成本
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根據intel在LithoVision2010大會所發表未來幾年的光蝕刻技術發展計畫的確
是將193nmDUV技術規劃延伸用至11nm的製程..我想這應該是真正的極限了
目前看來EUV雖然還有許多難行之處..但應該仍是最為有遠景的下代光刻技術接班者