上次已經跟您提過，浮閘架構的 NAND Flash 有製程越微縮越不穩定的物理限制

所以才會有廠商改開發新的電荷捕捉型Flash甚至是次世代的PRAM

控制晶片再強也只能治標不能治本

至於官方說法，講難聽一點跟放空氣沒兩樣