主題: GlobalFoundries：紐約工廠7月動工 後年28nm
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加入日期: Sep 2003
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GlobalFoundries：紐約工廠7月動工 後年28nm
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GlobalFoundries：紐約工廠7月動工 後年28nm
作者：上方文Q 編輯：上方文Q　2009-06-05 15:10:51

GlobalFoundries製造系統與技術副總裁Tom Sonderman在Computex 2009的新聞發佈會上宣佈，位於紐約州的新工廠Fab 2將於今年7月份正式破土動工，並在2011年投產28nm工藝芯片，而現在45nm工藝的良品率也已經非常成熟。

目前位於德國德累斯頓的Fab 1晶圓廠將在年底全部轉向40/45nm，以便為Fab 2如期進軍後28nm時代做好準備，比如說2012年上馬22nm工藝。

從AMD拆分出來後，作為純代工廠的GlobalFoundries已經成為台積電的主要競爭對手。在被問及對公司未來展望時，Sonderman 只是說GlobalFoundries的目標是搶在Intel之前邁入後45nm時代。從進度安排上看，兩年公司都應該會在今年下半年投產32nm，不過 GlobalFoundries的大規模量產還要等到明年上半年。

Sonderman還在演講中提到，Intel雖然在2007年第四季度就已投產45nm工藝，但直到2008年第三季度才達到50％的良品率，而晚了一年投產的AMD在2009年第一季度就完成了這一跨越，只慢了半年。
Sonderman說的話能信嗎
還是這是I7貴的原因
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首先看幾塊美麗的晶圓：

45nm伊斯坦布爾晶圓


32nm SOI測試芯片晶圓


28nm SRAM Bulk測試晶圓


45nm Athlon II晶圓
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下邊是GlobalFoundries工廠官方介紹：


位於德國德累斯頓的Fab 1工廠群(原AMD Fab 36/38)


Fab 1由兩部分組成，分別負責45nm HP SOI工藝和32nm HP Bulk工藝，後者定於今年晚些時候投產，最大生產能力每月2.5萬塊晶圓。


美國紐約州薩拉托加縣Fab 2工廠設計圖


Fab 2園區規劃圖：佔地總面積222.45英畝(90萬平方米)，其中第一單元(Module 1)大約9萬平方英呎(8400平方米)，第二單元21萬平方英呎(1.95萬平方米)。


Fab 2總投資約45億美元，也是300mm晶圓廠，面向32/22nm工藝，預計2012年全面上線，月產能3.5萬塊晶圓。


Fab 2 32nm工藝將採用「Gate First HKMG」技術，分別指柵極優先、高K材料和金屬柵極。


半導體工藝技術一般都分為高性能(HP)、通用目的(GP)和低功耗(LP)三個類別，各自面向不同的應用領域，CPU、GPU等使用的都是高性能工藝。


三種工藝類型在技術重點、襯底、SRAM單元和互連方式等方面都有明顯區別



GlobalFoundries已於2008年第四季度在Fab 1內試產了32nm SRAM晶圓，此番展會上也進行了展示，而最終量產安排在2010年上半年。


45nm工藝簡介：SOI襯底、最多11層金屬、多晶硅柵(Poly Gate)、雙重應力襯裡(DSL)、柵極寬度35nm、SRAM單元面積0.432平方微米、最高20％性能提升。
　　　　　　　　　　　　　　　　
     
      
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[ExtremeTech]VGAMaster
舊 2009-06-05, 11:05 PM #1
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