開機畫面


BIOS主頁面


電壓/外頻設定頁面
以下為三個DFI BIOS新選項功能
CPU CLOCK Amplitude=>Clock Generator 電壓堆動能力,基本是800mV,超頻的時候可以提高
CPU Clock0 Skew=>CPU端 Clock 訊號的上升時間,超頻後可以調高配合來試著配合FSB,有機會提升穩定性
CPU Clock1 Skew=>NB 端Clock 訊號的上升時間,超頻後可以調高配合來試著配合FSB,有機會提升穩定性


DRAM除頻選項


CPU Feature


DRAM參數頁面




Clock Fine Delay依每款DRAM特性調整可以拉高DRAM極限


電壓頁面
CPU VID Special Add +12.5mV~787.5mV
DRAM Voltage 1.800~3.375V
SB Core/CPU PLL Voltage 1.510~2.380V
NB COre Voltage 1.265~2.040V
CPU VTT Voltage 1.100~1.603V


以上BIOS電壓為四核超頻時設定,有使用四核的人可以參考