記憶體參數規格：

　　記憶體的時序參數一般簡寫為2/2/2/6-11/1T的格式，分別代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。 2/2/2/6-11/1T中最後兩個時序參數，也就是tRAS和CMD(Command縮寫)，是其中較複雜的時序參數。目前市場上對這兩個參數的認識有一些錯誤，因為部分記憶體廠商直接用它們來代表記憶體效能。

CMD Rate祥解：

　　Command Rate譯為"首指令延遲",這個參數的含義是片選後多少時間可以發出具體的尋址的行啟動指令，服務機構是時鐘週期。片選是指對行物理Bank的選項（通過DIMM上CS片選信號進行）。

如果系統指使用一條單面記憶體，那就不存在片選的問題了，因為此時只有一個物理Bank。

　　用更通俗的說法，CMD Rate是一種晶片組意義上的延遲，它並不全由記憶體決定，是由晶片組把虛擬位址解釋為物理位址。不難估計，高密度大容量的系統記憶體的物理位址範圍更大，其CMD延遲肯定比只有單條記憶體的系統大，即使是雙面單條。

　　Intel對CMD這個問題就非常敏感，因此部分晶片組的記憶體通道被限制到四個Bank。這樣就可以比較放心地把CMD Rate限定在1T，而不理用戶最多能安裝多少容量的記憶體。

　　宣揚CMD Rate可以設為1T實際上多少也算是一種誤導性****，因為所有的無緩衝（unbuffered）記憶體都應具有1T的CMD Rate，最多支持四個Bank每條記憶體通道，當然也不排除晶片組的侷限性。

tRAS：

　　tRAS在記憶體規範的解釋是Active to Precharge Delay，行有效至行預充電時間。是指從收到一個請求後到啟始化RAS（行位址選通脈衝）真正開始接受資料的間隔時間。這個參數看上去似乎很重要，其實不然。記憶體訪問是一個動態的程序，有時記憶體非常繁忙，但也有相對空閒的時候，雖然記憶體訪問是連續不斷的。tRAS指令是訪問新資料的程序(例如開啟一個新的程序)，但發生的不多。

　　接下來幾個記憶體時序參數分別為CAS延遲，tRCD,以及tRP，這些參數又是如何影響系統效能的呢？

CAS:

　　CAS意為列位址選通脈衝(Column Address Strobe 或者Column Address Select),CAS控制著從收到指令到執行指令的間隔時間，通常為2，2.5,3這個幾個時鐘週期。

在整個記憶體矩陣中，因為CAS按列位址管理物理位址，因此在穩定的基礎上，這個非常重要的參數值越低越好。程序是這樣的，在記憶體陣列中分為行和列，當指令請求到達記憶體後，首先被觸發的是tRAS (Active to Precharge Delay)，資料被請求後需預先充電，一旦tRAS被啟動後，RAS才開始在一半的物理位址中尋址，行被選定後，tRCD啟始化，最後才通過CAS找到精確的位址。整個程序也就是先行尋址再列尋址。從CAS開始到CAS結束就是現在講解的CAS延遲了。

因為CAS是尋址的最後一個步驟，所以在記憶體參數中它是最重要的。

tRCD:

根據標準tRCD是指RAS to CAS Delay（RAS至CAS延遲)，對應於CAS,RAS是指Row Address Strobe，行位址選通脈衝。CAS和RAS共同決定了記憶體尋址。



RAS(資料請求後首先被激發)和CAS(RAS完成後被激發)並不是連續的，存在著延遲。然而，這個參數對系統效能的影響並不大，因為程序存儲資料到記憶體中是一個持續的程序。在同個程序中一般都會在同一行中尋址，這種情況下就不存在行尋址到列尋址的延遲了。

tRP:

　　tRP指RAS Precharge Time ，行預充電時間。也就是記憶體從結束一個行訪問結束到重新開始的間隔時間。簡單而言，在依次經歷過tRAS, 然後 RAS, tRCD, 和CAS之後，需要結束當前的狀態然後重新開始新的循環，再從tRAS開始。這也是記憶體工作最基本的原理。如果你從事的工作需要大量的資料變化，例如視瀕繪圖，此時一個程序就需要使用很多的行來存儲，tRP的參數值越低表示在不同行切換的速度越快。

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