以前述原則在 P5N-E SLI(BIOS 0307) 再細測金士頓 DDR2-667 512M*2 Hynix 顆粒，
發現其特性蠻怪的。固定參數為 5-5-5-15、變動參數為：

電壓 AUTO、1T：極限 415*2。這也是 1T 的極限，加大壓也不能再進步，調 2T 才能繼續往上超。
電壓 AUTO、2T：極限 475*2。這應該是最能發揮 Hynix 顆粒價值的設定。
電壓 2.178V、2T：可上 500*2。極限懶得找，因「頻率增幅」相較於「電壓增幅」，邊際效用極低，相較於 UMAX 2.085V 就能上 500*2，沒有加壓的價值。

結論：
1.如果是 Intel 平台且主機板中有關記憶體加壓設定很保守者，很適合用 Hynix 顆粒。
2.ClockGen 和 Hynix 顆粒合不來(測半天才發現)，若要軟超，不宜用 Hynix 顆粒。

註： P5N-E SLI BIOS 中 DDR2 電壓設定值有 AUTO、1.920、2.085、2.178 等，我測 UMAX 時是假設 AUTO 等於 1.8V，UMAX 的測試數據似乎也能證實這個假設。