由於最近一、二個月才開始接觸 DDR2 雙通道超頻(之前只用過 DDR 單通道)，可能已有大大發表過，如有重複還請包含。

原本一直為 65nm AM2 3600+ X2 超頻所苦，在不斷嘗試的過程中，發現記憶體所插的插槽位置，對 DDR2 超頻極限甚至 CPU 外頻有非常明顯的的影響。

以前一直認為記憶體越靠近 CPU 越穩，但到了 DDR2 時代，實情似乎剛好相反，以我的 M55Plus-S3G 和 P5N-E SLI 來說，雖然主機板說明書建議先插 1-2 或 1-3，但我測試後卻發現：插 3-4 及 2-4，記憶體才有可能跑出版上很多大大所分享的高水準；插 1-2 或 1-3 反而會「落賽」，電壓加再多也無效。DDR2 超頻不如預期的網友不妨一試。

註：友通的記憶體插槽排列方式和其他廠牌似乎不同，不知適不適用。