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magidxseva
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加入日期: Sep 2001
文章: 550
引用:
作者poung
你說的是SiGe
還有世界最快device的不是用GaAs(砷化鎵)
而是用InP(磷化銦)做的HBT(異質接面雙載子電晶體)
而速度也只是測單顆元件
還有III-V族跟Si的製程設備不太一樣。Si先進多了。

我並沒有說世界上最快的是GaAs喔!!
那篇只是提出兩種高速晶片用的基材
你可以回頭仔細看一下!!

而且舉nv跟tsmc做例子是表達轉換製程的困難
就如同你所說的
最先進的si製程轉換起來都不順利
那何況是其他少用的製程
您說是吧!!
舊 2006-06-23, 11:37 AM #35
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