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poung
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加入日期: Oct 2001
文章: 26
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作者magidxseva
這種實驗室產品請不要太期待
記憶中這種專ㄍ一ㄥ(抱歉,打不出國字)赫茲數的東西
已經不是用矽晶圓(加了鍺?)
通訊業用的高頻晶片則是用砷化鎵晶圓

何況晶片的設計方向影響非常大
p4的 Netburst架構因為高Pipeline Stage的關係,時脈提昇較容易
而新的Core架構就提昇時脈就沒那麼容易了,目前將要推出最強的6800也不過才2.9x Ghz

而且晶圓廠轉換製程更不是一件容易的事
要不然也不會有 nv30因為台積電轉換製程而影響產品上市時間的事件

so
實驗室到量產....
還有一段不短的路要走!!


你說的是SiGe
還有世界最快device的不是用GaAs(砷化鎵)
而是用InP(磷化銦)做的HBT(異質接面雙載子電晶體)
而速度也只是測單顆元件
還有III-V族跟Si的製程設備不太一樣。Si先進多了。
舊 2006-06-22, 09:08 PM #33
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