引用:
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作者linjunan
感謝感謝~
小弟去創見下載相關資訊來看，才瞭解到這個問題。
再請教：那三星 、intel所研發的那種flash硬碟，有一樣的問題嗎?
謝謝。
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如果鵝沒記錯的話flash就算只要寫入一個bit,也要先清掉整個block(block大小請恕鵝無法確定
)再寫回整個block---寫入速度快不起來(EEPROM可以以byte為單位寫入,但容量/速度/$$都不是flash的對手,現在只在小容量的場合比較常見),而且這類非揮發性記憶體通常是用floating gate實作出來的,所以先天上寫入次數是有限的,除非有人能做出一個不是flash的flash,不然拿來用在大量寫入的場合恐怕是自討苦吃
....BTW,I社/S社想推的flash HD據鵝推測應該是在前端加上buffer,由controller設法對寫回後端flash的動作做最佳化---一般寫入的機率還是遠低於讀出的,所以buffer不用太大,至於停電時buffer內的資料可能由內建的小電池負責完成寫回的動作,在此以鵝個人看法flash hd面臨的問題跟iRAM其實是大同小異的(甚至其controller要負責的部份複雜度可能遠高於iRAM,so可靠度??),只是worst case時資料遺失的比例可能比較小,但可能會帶來flash/controller可靠度的issue,相對而言iRAM可能還比較好搞吧
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