啊哈，大大您所說的bios記憶體的timing，在下看了一下在下的bios說明書 ，好像沒有一樣的，只找到

說明：
DDR RAS Precharge Timem (tRP)(DDR RAS預充電時間週期)
此項目共有三個選項可供選擇：3T>2T>4T，預設值為3T。此項目是用來設定SDR/DDR SDRAM的RAS預充電時間，它可以定義自SDRAM預充電到執行ACT指鈴之間的時間週期。
tRP時序數值=預充電時間-自預充電指令發出直到模組區塊能夠動作的時間。


DDR RAS to CAS Delay(tRCD)(DDR RAS 至 CAS延遲時間)
此項目共有三個選項可供選擇：3T>2T>4T，預設值為3T。此項目是用來設定SDR/DDR SDRAM的RAS到CAS狀態的延遲時間，它可以定義自SDRAM ACT(動作)到讀/寫(Read/Write)指令動作之間的時間週期。
tRCD時序數值=RAS到CAS的延遲時間+讀/寫(rd/wr)指令的延遲時間。

DDR Write Recovery Time (tWR)(DDR的寫入恢復時間)
此項目共有兩個選項可供選擇：2T>1T，預設為2T。此項目可以設定SDR/DDR SDRAM到寫入恢復時間，此項目(位元)控制了必需自最後有效的寫入動作至最早時間出現的新預充電指令之間，能夠被在同一個記憶體區塊確認出現之時脈週期的數目。當您將其設定為1T時，tWR會持擇一個時脈週期，其餘依此類推。



還有一個
CAS Latency Setting (CAS(Column Address Strobe)延遲時間設定)
此項目共有三個選項可供選擇：2T>2.5T>3T預設值為2.5T。這個項目可以控制DDR SDRAM 讀取指令讀取資料到資料變為真正可用之間的延遲時間，您必需根據您DDR SDRAM的規格來設定此項目。



啊哈，以上是在下找到的有關TIME的，不知道要調那幾個，請會的大大指指一下，謝謝，

因為在下換了兩次，問題都一樣，應該是主機版的題了。