應該這麼說吧,只要是積體電路,都會面臨這問題,祇不過超頻更容易使問題突顯.

不管是gate與metal,一般使用pvd或 cvd多會使用含適當si的Al target,或是
於W接觸面先沉積一些silicide,多少可改善oxide與高溫的W plug接觸所產生
的區域電子遷移效應.