引用:
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作者蚱蜢
1.儲存循環時間(Row cycleime)請設為7T
2.Row refresh cycle time 請設為AUTO
3. Row to Row delay請設為2T
4.Write recovery time 請設為2T
5.Write to Read delay 請設為1T
6.Read to Write delay 請設為2T
7.Refresh period請設為3120 Cycles(1X 3120 Cycles)
第2項2.Row refresh cycle time 請設為AUTO、我的Row refresh cycle time 沒有AUTO、裡面的值大概是從9-23、所以遲遲不敢最佳化
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嗯...這部份的記憶體參數最佳化我是參考MSI的nForce4 超頻教學 PDF檔。
關於AUTO其實就是By SPD的意思。
但是要如何手動調整其他值，而讓
Row refresh cycle time維持By SPD呢?
1.先將DRAM Timing 的參數先設為AUTO。 儲存CMOS，重新開機後再進入Bios
2.然後將AUTO改成手動，此時參數變成可以調整。
在改變所有的參數值之前，這些數值就是您的記憶體預設值。
3.因此您只要調整您想要調整的參數值即可。
另外不同的記憶體，能最佳化的Row refresh cycle time值可能需要您慢慢嘗試找出。
剛剛我自己試過
值14=AUTO、值9=不能開機、值12=可以開機且過Pi-1M。(效能有較14T略增加..)
另外其他的最佳化值，如果您的記憶體顆粒不差，其實是可以照表調整的。
且MEM效能的確有增加。不過實際使用上.....還是只有"爽度"吧^^||
如果您照表調整後不穩，又不想加壓的話，請略調鬆參數值。
PS:我有試用下述的參數值跑過P95 Stress-RAM，過1HR以上停測。
DDR 512
CL3-3-3-8
Row refresh cycle time 14
Row to Row delay 2T
Write recovery time 2T
Write to Read delay 1T
Read to Write delay 2T
Refresh period 1X 3120 Cycles
Vram 2.8v
