節錄自拙編 K8超頻圖文教學-終極完美v3.2
CAS# latency (Tcl) 注意:此項為DRAM最重要之參數優化項.
有2、2.5和3 ns
全名:預充電時間 (CAS Latency)：通常簡稱CL。
例如CL=3，表示電腦系統自主記憶體讀取第一筆資料時，所需的準備時間為3個外部時脈 (System clock)。CL2與CL3的差異僅在第一次讀取資料所需準備時間，相差一個時脈，對整個系統的效能並無顯著影響。

因為影響系統效能的最主要變數仍是CPU時脈，所以超頻一般皆是以提升外頻*倍頻=最大值為首要。
而記憶體的Tcl值僅在系統記憶體傳輸效能上扮演要角，越小的值，代表越快的時脈週期，也代表了越短的記憶體延遲。

如果說Cl=3，User自行調整至Cl=2.5，在整體系統上提升的效能約不到3%吧
(個人主觀判斷)
而現今大部分的記憶體顆粒製造商，其標定的標準SPD值，大部分都是CL=3
，但是並非不允許玩家自行調整至CL=2.5。
應該是因為現今的DRAM型號顆利多，
且為配合眾多的晶片組、CPU、MB廠、當然是以保守的參數值
為出廠預設值，免的出現一推相容性的問題..

不過也有的是記憶體顆粒體質普普...無法以CL=2.5穩定運作DDR400(可能可以跑DDR333..)

能否跑到CL2.5值，最主要還是要看記憶體時脈與體質，還有系統相容性...
一般來說 高DRAM時脈需要配合大的記憶體參數
低DRAM時脈，可以搭配較小的記憶體參數
以我自己的Hynix D5而言
體質較普通，預設DDR500可以跑CL2.5-3-3-5
如果跑到DDR520 則需要加壓至2.8v 才能穩定CL3-3-3-5

以上...